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IXFP16N50P3

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Produktcode: 202044
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
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IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS IXF_16N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
auf Bestellung 199 Stücke:
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14+6.1 EUR
17+5.21 EUR
50+4.59 EUR
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IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 211 Stücke:
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25+7.33 EUR
50+6.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_16N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 207 Stücke:
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IXFP16N50P3 IXFP16N50P3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-16n50p3-datasheet?assetguid=c099d5ad-4c9c-4f25-857b-cb83c46942eb Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
auf Bestellung 950 Stücke:
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50+7.32 EUR
100+6.7 EUR
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IXFP16N50P3 media.pdf
IXFP16N50P3
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPrivatkunde
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IXFP16N50P3
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar3™
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IXFP16N50P3
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXFP16N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_16N50P3_Datasheet.PDF
IXFP16N50P3
Hersteller: IXYS
MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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IXFP16N50P3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-16n50p3-datasheet?assetguid=c099d5ad-4c9c-4f25-857b-cb83c46942eb
IXFP16N50P3
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
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