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IXF1002ECLEVELONEBGA
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IXF1002ECLEVEL ONE09+ .
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IXF1002EDRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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IXF1002ED-GRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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3+216.80 EUR
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IXF1024ECINTEL
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IXF1024ECA2INTERSIL
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IXF102AIconDescription: HEADLIGHT LED 5/50LM AA(1)
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IXF1104CEMOTBGA
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IXF1104CEINTELTO92
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IXF1104CEINTEL
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IXF1104CE.BOINTELBGA 0612+
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IXF150N10IXYSMODULE
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IXF18203EC B1INTELBGA
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IXF30003INTEL02+ BGA
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IXF3208BE COINTELBGA
auf Bestellung 325 Stücke:
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IXF6012EE B1LEVELONEBGA
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IXF6012EE B1INTER09+ BGA
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IXF6012EEB1INTEL04+ BGA
auf Bestellung 2035 Stücke:
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IXF611P1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXF611S1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
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IXF611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
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IXF6151BE A2INTEL01+
auf Bestellung 20 Stücke:
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IXF6401BEC-7LEVELONEBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
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IXF6401BEC7A1835148IntelDescription: IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA
auf Bestellung 3 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXF6402BEC B4LEVELONEBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXF6402BEC B4INTER09+ BGA
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IXFA102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
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IXFA10N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 120ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.36 EUR
50+4.12 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 120ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60PIXYSMOSFETs 600V 10A
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.30 EUR
10+7.29 EUR
50+4.10 EUR
100+3.78 EUR
250+3.77 EUR
500+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60P-TRLIXYSMOSFETs 600V 10A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N60P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.47 EUR
10+5.63 EUR
100+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 9595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.85 EUR
10+6.53 EUR
50+4.40 EUR
100+4.05 EUR
500+3.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 29842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.80 EUR
50+4.12 EUR
100+3.87 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.65 EUR
21+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80P-TRLIXYSMOSFETs IXFA10N80P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA10N80PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA110N15T2IXYSIXFA110N15T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.21 EUR
15+4.90 EUR
16+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA110N15T2IXYSMOSFETs 110Amps 150V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+9.47 EUR
50+8.03 EUR
100+7.18 EUR
250+6.90 EUR
500+6.72 EUR
1000+6.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA110N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA110N15T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA110N15T2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N50PIXYSMOSFETs 500V 12A
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.32 EUR
10+5.49 EUR
50+4.65 EUR
100+4.24 EUR
250+3.57 EUR
500+3.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.68 EUR
18+4.20 EUR
22+3.35 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.5Ω
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.68 EUR
18+4.20 EUR
22+3.35 EUR
23+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N50P TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N50P-TRLIXYSMOSFETs IXFA12N50P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N50P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.59 EUR
50+4.48 EUR
100+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 155ns
Gate charge: 18.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA12N65X2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA12N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.91 EUR
10+6.93 EUR
50+6.20 EUR
100+5.40 EUR
250+4.95 EUR
500+4.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.17 EUR
50+6.11 EUR
100+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.83 EUR
18+4.02 EUR
19+3.79 EUR
100+3.78 EUR
500+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.83 EUR
18+4.02 EUR
19+3.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA130N10T2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N10T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N15X3IXYSIXFA130N15X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.32 EUR
10+14.75 EUR
50+14.43 EUR
100+13.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.26 EUR
50+12.19 EUR
100+10.91 EUR
500+9.62 EUR
1000+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N15X3TRLIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA130N15X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60PIXYSIXFA14N60P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60PIXYSMOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+5.10 EUR
50+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P-TRLIXYSMOSFETs IXFA14N60P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N85XHVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N85XHVIXYSIXFA14N85XHV SMD N channel transistors
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.12 EUR
14+5.23 EUR
15+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA14N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+6.90 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.40 EUR
10+7.06 EUR
50+4.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 43nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Case: TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXFA16N50P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO263
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.45 EUR
15+4.90 EUR
19+3.90 EUR
20+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.45 EUR
15+4.90 EUR
19+3.90 EUR
20+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.32 EUR
23+3.16 EUR
24+3.03 EUR
50+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.32 EUR
23+3.16 EUR
24+3.03 EUR
50+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IXFA16N60P3IXYSMOSFETs 600V 16A
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IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.32 EUR
13+5.51 EUR
50+5.42 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 480W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 185nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.32 EUR
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IXFA180N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXFA180N10T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.33 EUR
10+8.87 EUR
50+7.53 EUR
100+6.86 EUR
250+6.12 EUR
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IXFA180N10T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.24 EUR
50+7.18 EUR
100+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFA180N10T2-TRLLittelfuseN-Channel Power MOSFET
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IXFA180N10T2-TRLIXYSMOSFETs IXFA180N10T2 TRL
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IXFA180N10T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
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IXFA18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
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IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.60 EUR
21+3.45 EUR
22+3.29 EUR
50+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IXFA18N60XLittelfuseX-CLASS HIPER FET POWER MOSFET
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IXFA18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
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IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.60 EUR
21+3.45 EUR
22+3.29 EUR
50+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFA18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-263
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IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA18N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
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IXFA18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
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IXFA18N65X3LittelfuseMOSFETs TO263 650V 18A N-CH X3CLASS
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IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IXFA20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
50+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N60X3LittelfuseMOSFETs TO263 600V 20A N-CH X3CLASS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N60X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 20A 600V X3 TO26
Packaging: Tube
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IXFA20N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263
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IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N85XHVIXYSIXFA20N85XHV SMD N channel transistors
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IXFA20N85XHVIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.92 EUR
50+11.12 EUR
100+9.94 EUR
250+9.75 EUR
500+9.08 EUR
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IXFA20N85XHV-TRLIXYSMOSFET IXFA20N85XHV TRL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N85XHV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263HV
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA20N85XHV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
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IXFA220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA220N06T3
Produktcode: 147921
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFA220N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA220N06T3IXYSMOSFETs 60V/220A TrenchT3
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 325-329 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+6.56 EUR
50+6.20 EUR
100+5.30 EUR
250+5.02 EUR
500+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA220N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.28 EUR
13+5.65 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N60P3IXYSMOSFETs TO263 600V 22A N-CH POLAR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.28 EUR
13+5.65 EUR
16+4.63 EUR
17+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.31 EUR
10+7.27 EUR
50+5.32 EUR
500+5.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N65X2IXYSIXFA22N65X2 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
auf Bestellung 2129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.35 EUR
50+6.83 EUR
100+6.11 EUR
500+5.31 EUR
1000+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA22N65X2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
auf Bestellung 2396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.68 EUR
10+7.19 EUR
100+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFA22N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA22N65X2 TRL
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IXFA22N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IXFA230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA230N075T2IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA230N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IXFA230N075T2IXYSIXFA230N075T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.81 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IXFA230N075T2-7IXYSIXFA230N075T2-7 SMD N channel transistors
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.45 EUR
13+5.51 EUR
50+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA230N075T2-7Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.42 EUR
50+6.61 EUR
100+6.13 EUR
500+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA230N075T2-7IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+7.90 EUR
50+4.52 EUR
100+4.49 EUR
500+4.40 EUR
1000+4.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N30X3IXYSIXFA26N30X3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N50P3IXYSIXFA26N50P3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.92 EUR
14+5.23 EUR
15+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N50P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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IXFA26N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA26N65X3LittelfuseMOSFETs TO263 650V 26A N-CH HIPER
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IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Reverse recovery time: 47ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Reverse recovery time: 47ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA270N06T3LittelfusePower MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA270N06T3IXYSMOSFET 60V/270A TrenchT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA28N60X3LittelfuseMOSFETs TO263 600V 28A N-CH HIPER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N25X3IXYSMOSFETs TO263 250V 30A N-CH HIPER
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.51 EUR
10+8.96 EUR
50+6.72 EUR
100+6.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N25X3IXYSIXFA30N25X3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N25X3LittelfusePower MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.57 EUR
10+11.36 EUR
100+9.40 EUR
500+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 145ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2IXYSMOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X2-TRLIXYSMOSFETs IXFA34N65X2 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3IXYSIXFA34N65X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3LittelfuseDiscrete MOSFET 34A 650V X3 TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET 34A 650V X3 TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3IXYSMOSFETs TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.99 EUR
50+9.57 EUR
100+8.89 EUR
500+7.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA34N65X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA34N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.61 EUR
10+7.73 EUR
50+7.30 EUR
100+6.34 EUR
500+5.39 EUR
1000+4.56 EUR
2500+4.28 EUR
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IXFA36N20X3IXYSIXFA36N20X3 SMD N channel transistors
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IXFA36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N30P3IXYSIXFA36N30P3 SMD N channel transistors
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IXFA36N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
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IXFA36N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.16 EUR
50+5.95 EUR
100+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N30P3IXYSMOSFETs TO263 300V 36A N-CH POLAR
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.38 EUR
10+7.34 EUR
50+5.23 EUR
100+4.93 EUR
250+4.89 EUR
500+4.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N55X2IXYSMOSFETs TO263 550V 36A N-CH HIPER
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IXFA36N55X2Littelfuse Inc.Description: IXFA36N55X2
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA36N60X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
50+7.07 EUR
100+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFA36N60X3IXYSMOSFETs TO263 600V 36A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
1+11.76 EUR
50+7.94 EUR
100+7.20 EUR
250+7.16 EUR
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IXFA36N60X3IXYSIXFA36N60X3 SMD N channel transistors
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IXFA36N60X3LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA38N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
auf Bestellung 2716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.05 EUR
50+5.75 EUR
100+5.32 EUR
500+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFA38N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.82 EUR
10+9.38 EUR
50+5.56 EUR
100+5.42 EUR
500+5.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA38N30X3IXYSIXFA38N30X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.82 EUR
15+4.99 EUR
16+4.70 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA38N30X3LittelfusePower MOSFET
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IXFA3N120IXYSIXFA3N120 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.05 EUR
10+14.80 EUR
25+14.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.05 EUR
10+14.80 EUR
25+14.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IXFA3N120IXYSMOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 423-427 Tag (e)
1+14.03 EUR
10+13.13 EUR
50+11.14 EUR
100+10.75 EUR
250+10.16 EUR
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IXFA3N120
Produktcode: 83348
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120-TRLIXYSMOSFETs IXFA3N120 TRL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120-TRRIXYSMOSFETs IXFA3N120 TRR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120-TRRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N120TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA3N80IXYSMOSFETs 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA44N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA44N25X3IXYSMOSFET MOSFET DISC X3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA44N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA44N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100PIXYSIXFA4N100P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.34 EUR
50+4.10 EUR
100+3.77 EUR
500+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100PIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.23 EUR
10+7.22 EUR
50+4.05 EUR
100+3.73 EUR
1000+3.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA4N100P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100QIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V 2.8 Rds
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.47 EUR
10+11.55 EUR
50+10.44 EUR
100+9.22 EUR
250+8.69 EUR
500+8.40 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100QIXYSIXFA4N100Q SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100QLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.57 EUR
50+8.58 EUR
100+7.98 EUR
500+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100Q-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N100Q-TRLIXYSMOSFETs
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IXFA4N100QTRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
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IXFA4N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.55 EUR
10+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXFA4N85XIXYSIXFA4N85X SMD N channel transistors
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.70 EUR
23+3.16 EUR
24+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IXFA4N85XIXYSMOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-263
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXFA50N20X3IXYSIXFA50N20X3 SMD N channel transistors
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IXFA50N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA50N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 1017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.75 EUR
50+9.77 EUR
500+9.59 EUR
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IXFA56N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.38 EUR
50+8.44 EUR
100+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3IXYSIXFA56N30X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
7+10.21 EUR
50+6.91 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA56N30X3-TRLLittelfuse DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.26 EUR
10+7.46 EUR
50+6.32 EUR
250+5.14 EUR
500+4.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA5N100P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N100PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3IXYSMOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
50+7.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.68 EUR
50+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA60N25X3IXYSIXFA60N25X3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.88 EUR
11+6.78 EUR
12+6.41 EUR
50+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
auf Bestellung 4670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.73 EUR
50+9.36 EUR
100+8.72 EUR
500+8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120PIXYSIXFA6N120P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120PIXYSMOSFETs POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.58 EUR
10+15.28 EUR
50+13.02 EUR
100+11.84 EUR
250+11.44 EUR
500+10.45 EUR
1000+9.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P-TRLIXYSMOSFETs IXFA6N120P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA6N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+11.95 EUR
11+6.68 EUR
100+6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+11.95 EUR
11+6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.30 EUR
50+9.02 EUR
100+8.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.35 EUR
10+13.85 EUR
50+13.22 EUR
100+11.46 EUR
500+10.00 EUR
1000+8.48 EUR
2500+8.20 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.17 EUR
50+9.59 EUR
100+9.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3IXYSMOSFETs TO263 300V 72A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.73 EUR
10+13.62 EUR
50+9.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3IXYSIXFA72N30X3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA72N30X3-TRLIXYSMOSFET IXFA72N30X3 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2IXYSIXFA76N15T2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.94 EUR
11+6.51 EUR
50+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA76N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100PIXYSMOSFETs 7 Amps 1000V
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.88 EUR
10+9.03 EUR
50+6.28 EUR
100+5.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100PIXYSIXFA7N100P SMD N channel transistors
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.51 EUR
15+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
50+6.36 EUR
100+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N100P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N100P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N60P3IXYSMOSFET 600V 7A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80PIXYSMOSFETs 7 Amps 800V 1.44 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
17+4.20 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
50+4.12 EUR
100+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Reverse recovery time: 250ns
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80P-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA7N80P-TRLIXYSMOSFETs IXFA7N80P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.18 EUR
50+8.01 EUR
100+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3IXYSMOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
auf Bestellung 1145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.96 EUR
10+14.19 EUR
50+9.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.42 EUR
50+8.17 EUR
100+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.58 EUR
14+10.92 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 80 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.78 EUR
10+7.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+10.06 EUR
25+9.28 EUR
50+8.60 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.12 EUR
50+9.87 EUR
100+9.09 EUR
500+8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.78 EUR
10+7.44 EUR
60+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.65 EUR
10+11.23 EUR
100+8.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.28 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3-TRLIXYSMOSFET MOSFET DISC X4
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.09 EUR
10+15.44 EUR
25+14.73 EUR
100+12.78 EUR
500+11.14 EUR
800+9.47 EUR
2400+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3. - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Reverse recovery time: 105ns
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Reverse recovery time: 105ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N65X2IXYSMOSFET 650V/8A TO-263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHVIXYSIXFA8N85XHV SMD N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.55 EUR
12+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA8N85XHVIXYSMOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3IXYSMOSFETs TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.97 EUR
9+7.95 EUR
10+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 85ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 12.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 78nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.97 EUR
9+7.95 EUR
10+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFA90N20X3TRLIXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1890W
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PIXYSMOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
1+51.66 EUR
10+39.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB100N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 100 A, 0.049 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50P                                       497         
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB100N50 IXYS08+
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.18 EUR
25+30.05 EUR
100+25.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3IXYSMOSFETs 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.00 EUR
10+37.01 EUR
25+28.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB120N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB120N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB120N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
auf Bestellung 271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.87 EUR
25+29.58 EUR
100+28.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3IXYSIXFB132N50P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3
Produktcode: 94706
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB132N50P3IXYSMOSFETs 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.43 EUR
10+34.95 EUR
25+33.77 EUR
50+33.05 EUR
100+32.35 EUR
250+30.87 EUR
500+29.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+50.18 EUR
5+46.99 EUR
10+41.47 EUR
25+36.12 EUR
100+32.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+32.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.20 EUR
10+40.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.24 EUR
25+41.54 EUR
100+37.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 260ns
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
On-state resistance: 17mΩ
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+32.82 EUR
25+32.15 EUR
100+31.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+50.18 EUR
5+46.99 EUR
10+41.47 EUR
25+36.12 EUR
100+32.97 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+30.12 EUR
10+27.51 EUR
25+25.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30PIXYSIXFB170N30P THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+40.61 EUR
3+32.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB170N30PIXYSMOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.20 EUR
10+49.93 EUR
25+46.57 EUR
50+45.76 EUR
100+44.97 EUR
250+40.32 EUR
500+39.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 210A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5kW
Polarisation: unipolar
Case: PLUS264™
Kind of package: tube
Gate charge: 255nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20PIXYSMOSFETs 210 Amps 200V 0.0105 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 210A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5kW
Polarisation: unipolar
Case: PLUS264™
Kind of package: tube
Gate charge: 255nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.22 EUR
10+40.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.14 EUR
25+43.16 EUR
100+37.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3IXYSIXFB210N30P3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.04 EUR
25+36.88 EUR
100+35.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10PIXYSIXFB300N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
2+35.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10PIXYSMOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.53 EUR
10+52.15 EUR
100+48.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120PIXYSMOSFETs 30 Amps 1200V 0.35 Rds
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.14 EUR
10+67.32 EUR
25+59.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22500 pF @ 25 V
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.81 EUR
25+59.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB30N120Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB38N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB38N100Q2IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB38N100Q2IXYSMOSFETs 38 Amps 1000V 0.25 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110PIXYSMOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+80.54 EUR
25+67.49 EUR
100+62.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1.1kV; 40A; 1560W; 434ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 300nC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 434ns
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 0.26Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110Q3IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q3 3&44
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+84.02 EUR
10+78.43 EUR
25+75.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1.1kV; 40A; 1560W; 434ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 300nC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 434ns
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 40A
On-state resistance: 0.26Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB40N110Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100P
Produktcode: 199488
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+30.76 EUR
5+30.74 EUR
25+29.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100PIXYSMOSFETs 44 Amps 1000V 0.22 Rds
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.12 EUR
25+37.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+30.76 EUR
5+30.74 EUR
25+29.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.76 EUR
25+35.60 EUR
100+34.13 EUR
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IXFB44N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+52.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.22Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+74.27 EUR
10+61.62 EUR
25+56.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 264nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
On-state resistance: 0.22Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB50N80Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFB50N80Q2IXYS07+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFB50N80Q2IXYSMOSFET 50 Amps 800V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB50N80Q2IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB50N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80PIXYSMOSFETs 60 Amps 800V 0.14 Rds
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.75 EUR
10+44.81 EUR
25+33.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
auf Bestellung 264 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.29 EUR
25+31.29 EUR
100+30.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80PIXYSIXFB60N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+41.61 EUR
3+29.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFB60N80P
Produktcode: 154209
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB62N80Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 62A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB62N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 62A
On-state resistance: 0.14Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB62N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.27µC
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 62A
On-state resistance: 0.14Ω
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+71.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB62N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB62N80Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB70N100XIXYSMOSFETs 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB70N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 25 V
auf Bestellung 203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB70N100XLittelfuseX-Class Hiperfet Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB70N60Q2IXYSMOSFET 70 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB70N60Q2IXYS
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB70N60QZIXYS09+
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB72N55Q2IXYSMOSFETs 72 Amps 550V 0.07 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB72N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB80N50Q2IXYSMOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB80N50Q2IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB80N50Q2
Produktcode: 22118
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.01 EUR
25+28.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60PIXYSMOSFETs 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.01 EUR
25+28.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.81 EUR
25+33.10 EUR
100+31.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+43.21 EUR
25+42.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 275nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+43.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB82N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+67.58 EUR
10+60.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB90N85XIXYSMOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB90N85XIXYSIXFB90N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFB90N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.42 EUR
10+66.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC12N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC20N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC30N60PIXYSMOSFET 600V 30A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC52N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC60N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC74N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N08IXYSDescription: MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC80N10IXYSMOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC96N15PIXYSMOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFC96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 42A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFD15N100-8XIXYSDescription: MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFD23N60Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFD24N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFD26N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFD26N60Q-8XQIXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFD40N30Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE180N20IXYSMOSFET Modules 180 Amps 200V 0.01 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE23N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE23N100IXYSMOSFET Modules 21 Amps 1000V 0.43 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE24N100IXYSMOSFET Modules 22 Amps 1000V 0.39 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE24N100IXYSMODULE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE36N100IXYSMOSFET Modules 33 Amps 1000V 0.24 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE39N90IXYSMOSFET Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE44N50QIXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE44N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE44N50QD2IXYSMOSFET Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE44N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE44N60IXYSMOSFET Modules 41 Amps 600V 0.13 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE48N50QIXYSMOSFET Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE48N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE48N50QD2IXYSMOSFET Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE48N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE55N50IXYSMOSFET Modules 52 Amps 500V 0.08 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE73N30QIXYSMOSFET Modules 66 Amps 300V 0.046 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE80N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFE80N50IXYSMOSFET Modules 72 Amps 500V 0.055 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFF24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFF24N100IXYSMOSFETs 22 Amps 1000V 0.39 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFG55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISO264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFG55N50IXYSMOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N25PIXYSMOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.70 EUR
30+13.82 EUR
120+11.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.75 EUR
6+12.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.35 EUR
30+14.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 130ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 122nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.75 EUR
6+12.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH102N15TIXYSMOSFETs 102 Amps 0V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH102N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100IXYSMOSFETs 1KV 10A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.08 EUR
11+6.64 EUR
120+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.08 EUR
30+8.10 EUR
120+6.95 EUR
510+6.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.08 EUR
11+6.64 EUR
120+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100PIXYSMOSFETs 10 Amps 1000V
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.08 EUR
10+11.18 EUR
30+8.11 EUR
120+7.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100QIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.05 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
30+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80PIXYSMOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.76 EUR
10+8.06 EUR
30+5.79 EUR
120+5.23 EUR
270+5.19 EUR
510+5.17 EUR
1020+4.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
510+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 40nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.81 EUR
16+4.69 EUR
17+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N90IXYSMOSFET 10 Amps 900V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH10N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N10PIXYSIXFH110N10P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.14 EUR
12+6.16 EUR
13+5.83 EUR
1020+5.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.91 EUR
30+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N10PIXYSMOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.66 EUR
10+12.39 EUR
30+8.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+12.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N15T2IXYSMOSFET 110 Amps 150V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N15T2IXYSIXFH110N15T2 THT N channel transistors
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.58 EUR
10+7.34 EUR
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N25TIXYSMOSFET 110 Amps 0V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH110N25TIXYSIXFH110N25T THT N channel transistors
auf Bestellung 267 Stücke:
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8+10.01 EUR
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IXFH110N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH11N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH11N80IXYSMOSFETs 11 Amps 800V
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IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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30+14.41 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IXFH120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.81 EUR
9+8.19 EUR
10+7.75 EUR
120+7.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IXFH120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
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1+16.53 EUR
10+15.68 EUR
30+9.80 EUR
120+9.15 EUR
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IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 60 Stücke:
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60+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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IXFH120N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
auf Bestellung 1855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.91 EUR
30+9.69 EUR
120+8.90 EUR
510+8.40 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.27 EUR
7+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH120N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH120N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
auf Bestellung 632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.08 EUR
30+13.35 EUR
120+12.28 EUR
510+11.96 EUR
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IXFH120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.27 EUR
7+10.85 EUR
510+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.87 EUR
10+16.03 EUR
30+13.34 EUR
60+13.18 EUR
120+13.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+22.80 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.67 EUR
6+12.93 EUR
10+12.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IXFH120N25TIXYSMOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 108ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.67 EUR
6+12.93 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.49 EUR
6+12.41 EUR
10+12.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.87 EUR
30+16.89 EUR
120+15.90 EUR
510+14.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 140ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.49 EUR
6+12.41 EUR
10+12.26 EUR
30+11.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N25X3IXYSMOSFETs TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 1191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.47 EUR
10+19.04 EUR
30+14.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
auf Bestellung 4975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.10 EUR
30+18.73 EUR
120+16.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.46 EUR
5+14.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 145ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.46 EUR
5+14.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100IXYSMOSFETs 1KV 12A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100FIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.91 EUR
30+13.12 EUR
120+11.78 EUR
510+10.18 EUR
1020+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100FLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.91 EUR
30+13.31 EUR
120+11.42 EUR
510+11.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 1304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.91 EUR
30+13.12 EUR
120+11.78 EUR
510+10.18 EUR
1020+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100FIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.05 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.79 EUR
30+9.92 EUR
120+8.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.55 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100PIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V
auf Bestellung 659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.89 EUR
10+13.83 EUR
30+10.21 EUR
120+8.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.55 EUR
9+8.28 EUR
10+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.09 EUR
300+6.80 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 436W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.09 EUR
300+6.80 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120IXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+17.77 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120PIXYSIXFH12N120P THT N channel transistors
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+22.74 EUR
5+16.20 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120PIXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.15 Rds
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.47 EUR
10+24.22 EUR
30+23.55 EUR
60+22.25 EUR
120+20.93 EUR
270+20.28 EUR
510+18.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+28.51 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N50FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N50FIXYSMOSFET IXFH12N50F 500V 12A HIPERFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N65X2IXYSMOSFETs 650V/12A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80PIXYSMOSFETs DIODE Id12 BVdass800
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N90IXYSMOSFETs 900V 12A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH12N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.19 EUR
30+12.20 EUR
120+11.09 EUR
510+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH12N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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IXFH12N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH12N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH12N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH12N90QIXYSMOSFET
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IXFH130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A
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IXFH130N15X3IXYSIXFH130N15X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
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IXFH130N15X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.34 EUR
30+9.88 EUR
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IXFH130N15X3IXYSMOSFETs TO247 150V 130A N-CH X3CLASS
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IXFH13N100IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
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IXFH13N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH13N100IXYSMOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds
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IXFH13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH13N50IXYSMOSFETs 500V 13A
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IXFH13N50 Transistor
Produktcode: 79556
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IXFH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
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IXFH13N80IXYSMOSFETs 800V 13A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH13N80Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH13N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH13N80QIXYSMOSFETs 13 Amps 800V 0.8 Rds
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IXFH13N80QIXYS09+ SOT23
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXFH13N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH13N90IXYSMOSFETs 13 Amps 900V 0.8 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.04 EUR
10+7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.41 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.04 EUR
10+7.48 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.25 EUR
30+8.21 EUR
120+8.05 EUR
510+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.24 EUR
10+13.78 EUR
30+9.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+9.41 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 140A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.93 EUR
30+16.91 EUR
60+16.90 EUR
120+15.59 EUR
270+14.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
On-state resistance: 9.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 127nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.34 EUR
6+12.30 EUR
7+11.61 EUR
120+11.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Reverse recovery time: 90ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
On-state resistance: 9.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 127nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.34 EUR
6+12.30 EUR
7+11.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH140N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N100Q2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N100Q2IXYSMOSFETs 14 Amps 1000V 0.90 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N100Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60PIXYSMOSFETs 600V 14A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
1+9.63 EUR
10+9.28 EUR
30+6.74 EUR
120+5.95 EUR
270+5.86 EUR
510+5.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60PIXYSIXFH14N60P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH14N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IXFH14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
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IXFH14N80IXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.7 Rds
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IXFH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
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IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXFH14N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.59 EUR
30+8.56 EUR
120+7.23 EUR
510+6.50 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH14N80PIXYSMOSFETs DIODE Id14 BVdass800
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 332-336 Tag (e)
1+12.88 EUR
10+11.44 EUR
30+10.01 EUR
120+8.62 EUR
270+7.92 EUR
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IXFH14N85XIXYSMOSFETs TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.68 EUR
30+8.01 EUR
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IXFH14N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH14N85XIXYSIXFH14N85X THT N channel transistors
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IXFH14N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.70 EUR
30+7.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH150N15PIXYSMOSFETs 170 Amps 150V 0.013 Rds
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.29 EUR
10+16.39 EUR
30+13.04 EUR
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IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH150N15PIXYSIXFH150N15P THT N channel transistors
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IXFH150N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.13 EUR
30+15.48 EUR
120+14.57 EUR
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IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+12.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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IXFH150N17TIXYSMOSFETs 150 Amps 175V
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IXFH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
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IXFH150N17T(Transistor)
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IXFH150N17T2
Produktcode: 177347
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IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH150N17T2IXYSMOSFETs 175V 150A
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.61 EUR
10+12.78 EUR
30+10.05 EUR
120+9.45 EUR
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IXFH150N17T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.00 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXFH150N17T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH150N17T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 175 V, 150 A, 0.012 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 175V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
30+16.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N20TIXYSMOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
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IXFH150N25X3IXYSIXFH150N25X3 THT N channel transistors
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+23.84 EUR
30+15.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N25X3IXYSMOSFETs TO247 250V 150A N-CH X3CLASS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.81 EUR
30+15.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH150N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N30X3IXYSIXFH150N30X3 THT N channel transistors
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IXFH150N30X3IXYSMOSFETs TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.99 EUR
10+25.29 EUR
30+24.16 EUR
60+23.41 EUR
270+22.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH150N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100IXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100IXYSMOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds
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IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFH15N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.40 EUR
30+12.30 EUR
120+10.53 EUR
510+10.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.07 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100PIXYSMOSFETs 15 Amps 1000V 0.76 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.07 EUR
7+10.74 EUR
8+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+30.75 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.46 EUR
30+18.35 EUR
120+16.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 690W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+19.11 EUR
60+17.17 EUR
120+15.62 EUR
180+14.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.28 EUR
10+25.12 EUR
30+21.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N60LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N60IXYSMOSFETs 15 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80IXYSMOSFETs 800V 15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.28 EUR
10+22.10 EUR
25+17.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80QIXYSMOSFETs 800V 15A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80Q
Produktcode: 104305
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.28 EUR
10+22.10 EUR
25+17.59 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH1606
Produktcode: 128639
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15TIXYSMOSFETs 160 Amps 150V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.29 EUR
10+16.54 EUR
30+14.04 EUR
120+11.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.49 EUR
30+9.74 EUR
120+8.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 160 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25; Qg, нКл = 253 @ 10 В; Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В; Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА; Р, Вт = 880 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.27 EUR
10+5.40 EUR
100+4.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2IXYSMOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.19 EUR
10+11.33 EUR
30+8.62 EUR
120+8.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2
Produktcode: 126302
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH160N15T2IXYSIXFH160N15T2 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PIXYSMOSFETs 1
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 517-521 Tag (e)
1+33.49 EUR
10+29.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PIXYSIXFH16N120P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH16N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PIXYSMOSFETs 500V 16A
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.63 EUR
10+8.34 EUR
30+5.86 EUR
120+5.07 EUR
510+5.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 36nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.94 EUR
30+6.11 EUR
120+5.17 EUR
510+4.64 EUR
1020+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 300W
Gate charge: 36nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.80 EUR
30+7.40 EUR
120+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 330W
Gate charge: 29nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 347W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 470mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N60P3LittelfuseMOSFETs IXFH16N60P3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 347W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 470mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N60P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
30+9.40 EUR
120+8.20 EUR
510+7.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PIXYSMOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.59 EUR
10+14.24 EUR
30+9.12 EUR
120+8.27 EUR
510+8.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N90QIXYSMOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N90Q
Produktcode: 157422
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.98 EUR
10+19.38 EUR
30+14.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+18.72 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
30+13.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIXYSIXFH170N10P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 270
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N15X3IXYSIXFH170N15X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N15X3IXYSMOSFETs TO247 150V 170A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N15X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3IXYSMOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 234-238 Tag (e)
1+29.69 EUR
10+28.44 EUR
30+21.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.03 EUR
30+20.50 EUR
120+20.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH170N25X3IXYSIXFH170N25X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH1799IXYSMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH17N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH17N80QIXYSMOSFETs 17 Amps 800V 0.60 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3IXYSMOSFETs TO247 200V 180A N-CH X3CLASS
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.16 EUR
30+17.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH180N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 A, 0.0063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+22.70 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.23 EUR
5+14.70 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Reverse recovery time: 94ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 154nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.23 EUR
5+14.70 EUR
510+14.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH180N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.74 EUR
30+16.88 EUR
120+16.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.52 EUR
30+21.48 EUR
120+20.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.15 EUR
10+29.06 EUR
30+22.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N100Q3IXYSIXFH18N100Q3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PIXYSMOSFETs 600V 18A
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+8.78 EUR
30+6.64 EUR
120+5.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.01 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 50nC
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.01 EUR
14+5.12 EUR
15+4.83 EUR
30+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.67 EUR
30+6.23 EUR
120+5.56 EUR
510+5.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 127ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 35nC
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X2IXYSMOSFETs 650V/18A TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 135ns
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO24
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N65X3LittelfuseMOSFETs TO247 650V 18A N-CH X3CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.76 EUR
30+12.26 EUR
120+11.12 EUR
510+10.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
auf Bestellung 2375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.89 EUR
10+17.46 EUR
30+12.87 EUR
120+12.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 18A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH18N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PIXYSMOSFETs 20 Amps 1000V 1 Rds
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.96 EUR
30+13.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.12 EUR
30+12.72 EUR
120+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.91 EUR
16+4.53 EUR
17+4.28 EUR
2010+4.10 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.28 EUR
30+6.69 EUR
120+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.67 EUR
10+8.47 EUR
30+7.55 EUR
120+6.60 EUR
270+6.18 EUR
510+5.97 EUR
1020+5.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.91 EUR
16+4.53 EUR
17+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N60IXYSMOSFETs 600V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PIXYSIXFH20N80P THT N channel transistors
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+13.46 EUR
8+9.15 EUR
9+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.98 EUR
30+8.94 EUR
120+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.02 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80PIXYSMOSFETs 20 Amps 800V 0.52 Rds
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.87 EUR
30+10.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80P (TO-247-3)
Produktcode: 107942
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80QIXYSMOSFET 800V 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80QIXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80Q
Produktcode: 129296
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N80QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N85XIXYSMOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N85XIXYSIXFH20N85X THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH20N85XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.73 EUR
30+12.56 EUR
120+11.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50
Produktcode: 188991
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50IXYSMOSFETs 500V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50FIXYSMOSFETs IXFH21N50F F-Class HiPerRF Power MOSFETs
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.66 EUR
10+16.00 EUR
30+14.50 EUR
120+13.32 EUR
270+12.53 EUR
510+11.77 EUR
1020+10.60 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH21N50QIXYS
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N06T3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+17.88 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N06T3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO247-3; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 38ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+17.88 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N06T3LittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N06T3IXYSMOSFETs 60V/220A TrenchT3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N20X3IXYSIXFH220N20X3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFH220N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 220A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+26.58 EUR
90+24.91 EUR
300+23.25 EUR
750+21.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH