IXGH60N60C3D1 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
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Technische Details IXGH60N60C3D1 IXYS
Description: IGBT 600V 75A 380W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns, Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 380 W.
Weitere Produktangebote IXGH60N60C3D1 nach Preis ab 8.29 EUR bis 26.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IXGH60N60C3D1 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 380W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns |
auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXGH60N60C3D1 | Hersteller : IXYS |
IGBT Modules 60 Amps 600V |
auf Bestellung 1412 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IXGH60N60C3D1 Produktcode: 148221 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXGH60N60C3D1 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXGH60N60C3D1 | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A |
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IXGH60N60C3D1 | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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.jpg "IXGH60N60C3D1") |
IXGH60N60C3D1 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 600V 75A 380W TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 380 W |
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