IXGH60N60C3D1


littelfuse-discrete-igbts-ixg-60n60c3d1-datasheet.pdf
Produktcode: 148221
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 Ixys Corporation littelfusediscreteigbtsptixg60n60c3d1datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+29.24 EUR
8+24.01 EUR
10+21.03 EUR
30+19.6 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.31 EUR
11+22.35 EUR
14+16.12 EUR
50+16.04 EUR
100+15.93 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXGH60N60C3D1 littelfusediscreteigbtsptixg60n60c3d1datasheet.pdf
Hersteller: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+29.24 EUR
8+24.01 EUR
10+21.03 EUR
30+19.6 EUR
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IXGH60N60C3D1 LFSI-S-A0009972209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
Gate charge: 115nC
auf Bestellung 300 Stücke:
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