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IXGL75N250

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Isolated TO264 package without mounting hole Транзистори
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Technische Details IXGL75N250

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 110A; 430W; ISOPLUS264™, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 430W, Case: ISOPLUS264™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 110A, Pulsed collector current: 580A, Collector-emitter voltage: 2.5kV.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXGL75N250 IXGL75N250 IXYS DS99861B(IXGL75N250).pdf Description: IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK
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IXGL75N250 IXYS DS99861B(IXGL75N250).pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 110A; 430W; ISOPLUS264™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 430W
Case: ISOPLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 580A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
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IXGL75N250
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 2.5kV; 110A; 430W; ISOPLUS264™
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 430W
Case: ISOPLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 580A
Collector-emitter voltage: 2.5kV
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