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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXG-05PolyPhaserConnectorised Surge Protectors Outdoor Twisted Pair Lightning Surge Protector, 4 Pair Gigabit Ethernet, PoE, UL 497B
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IXG-10P-DCHirose Electric Co LtdDescription: Interconnect Interface
Packaging: Bag
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IXG100IF1200HFIXYSDescription: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD
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IXG100NA60UIXYSMODULE
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IXG50I4500KNIXYSIGBTs Disc IGBT NPT-Very Hi Voltage ISOPLUS264
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IXG50I4500KNIXYSDescription: DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE IS
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS264™
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IXG611P1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8DIP
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IXG611S1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC
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IXG611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC
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IXG70IF1200NAIXYSIGBT Modules TO227 1200V 70A IGBT
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IXG70IF1200NAIXYSDescription: IGBT MODULE - OTHERS SMPD-B
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IXGA 15N120CIXYSLittelfuse
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IXGA10N60IXYSArray
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IXGA10N60
Produktcode: 98637
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IXGA120N30TCIXYSDescription: IGBT 300V 120A 250W TO263AA
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IXGA12N100IXYSDescription: IGBT 1000V 24A TO-263AA
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 800V, 12A, 120Ohm, 15V
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/850ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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IXGA12N100IXYSIGBT Transistors 24Amps 1000V
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IXGA12N100AIXYSIGBT Transistors
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IXGA12N120A2IXYSDescription: IGBT 1200V 24A 75W TO263
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 960V, 12A, 100Ohm, 15V
Switching Energy: 5.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/680ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Power - Max: 75 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
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IXGA12N120A2IXYSIGBTs 24 Amps 1200V 2.7 Rds
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IXGA12N120A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263
Collector current: 12A
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Technology: GenX3™; PT
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate charge: 20.4nC
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
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IXGA12N120A3IXYSDescription: IGBT 1200V 22A 100W TO263
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Gate Charge: 20.4 nC
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGA12N120A3IXYSIGBTs 1200V, 12A IGBT; G Series
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IXGA12N120A3-TRLIXYSDescription: IXGA12N120A3 TRL
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/62ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Gate Charge: 20.4 nC
Test Condition: 960V, 12A, 10Ohm, 15V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGA12N120A3-TRLIXYSIGBTs IXGA12N120A3 TRL
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IXGA12N120A3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 22A; 100W; D2PAK
Collector current: 22A
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.4nC
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IXGA12N60BIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-263AA
Power - Max: 100 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Switching Energy: 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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IXGA12N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 24A 100W TO263AA
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32 nC
Switching Energy: 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/150ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA12N60CIXYSDescription: IGBT 600V 24A 100W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
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IXGA12N60CIXYSIGBT Transistors 24 Amps 600V 2.7 Rds
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IXGA12N60CD1IXYSIGBTs 24 Amps 600V 2.7 Rds
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA12N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 24A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Switching Energy: 90µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA150N30TCIXYSDescription: IGBT 300V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA15N100CIXYSIGBTs 30 Amps 1000V 3.5 Rds
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA15N100CIXYSDescription: IGBT 1000V 30A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA16N60B2IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA16N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO263
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 24 nC
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/73ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 12A
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA16N60C2IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO263
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 25 nC
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA16N60C2IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0V Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA16N60C2D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/75ns
Switching Energy: 160µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 12A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA16N60C2D1IXYSIGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0V Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N100IXYSDescription: IGBT PT 1000V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/350ns
Switching Energy: 3.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N100IXYSIGBTs 40 Amps 1000V 3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N100-TRLLittelfuseIGBTs TO247 1200V 100A GENX4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N100-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1kV; 40A; 150W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 1kV
Collector current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120IXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-263AA
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 63 nC
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120IXYSIGBTs 40 Amps 1200V 2.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3
Produktcode: 56134
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IXYSTransistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-263
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 180 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 16/290
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
auf Bestellung 589 Stücke:
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IXGA20N120A3IXYSIGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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IXGA20N120A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.45 EUR
50+7.85 EUR
100+7.22 EUR
500+6.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3IGBT PT 1200V 20A TO-263 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120A3-TRLIXYSIGBTs IXGA20N120A3 TRL
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IXGA20N120BIXYSIGBTs 40 Amps 1200V 2.5 Rds
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120BIXYSDescription: IGBT 1200V 40A TO-263AA
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 63 nC
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBTs
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 720ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 36A TO-263AA
Power - Max: 180 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Part Status: Active
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 600V, 16A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 920µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/150ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 1200V 36A TO-263
Power - Max: 180 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Part Status: Active
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 600V, 16A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 920µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/150ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3-TRLIXYSIGBTs IXGA20N120B3 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N120B3-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 36A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N250HVIXYSIGBTs TO263 2500V 30A IGBT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+113.26 EUR
10+103.32 EUR
50+91.25 EUR
250+89.18 EUR
500+88.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N250HVIXYSDescription: DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 53 nC
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+88.27 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N250HV-TRLIXYSDescription: DISC IGBT NPT VERY HI VOLTAGE TO
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Gate Charge: 53 nC
Supplier Device Package: TO-263HV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N250HV-TRLIXYSIGBTs TO263 2500V 12A IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N60BIXYSIGBT Transistors 40 Amps 600V 2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA20N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA24N120C3IXYSIGBTs 40khz PT IGBTs Power Device
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA24N120C3IXYSDescription: IGBT 1200V 48A 250W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/93ns
Switching Energy: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 250 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA24N60CIXYSDescription: IGBT 600V 48A 150W TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA28N60A3IXYSDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/300ns
Switching Energy: 700µJ (on), 2.4mJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 190 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3IXYSDescription: IGBT PT 1200V 60A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20 EUR
50+11.22 EUR
100+10.38 EUR
500+9.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3IXYSIGBTs GenX3 1200V IGBT
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.69 EUR
10+13.67 EUR
100+12.63 EUR
500+11.6 EUR
1000+11.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+19.02 EUR
15+15.97 EUR
50+13.47 EUR
100+12.21 EUR
250+11.95 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3-TRLIXYSIGBTs IXGA30N120B3 TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N120B3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 1200V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N60C3IXYSDescription: IGBT 600V 60A 220W TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N60C3C1IXYSIGBT Transistors G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N60C3C1IXYSDescription: IGBT 600V 60A 220W TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/42ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N60C3D4IXYSIGBT Transistors 600V 30A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA30N60C3D4IXYSDescription: IGBT 600V 60A 220W TO263
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA36N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/330ns
Switching Energy: 740µJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 220 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA36N60A3IXYSIGBT Transistors Disc IGBT PT-Low Frequency TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA36N60A3-TRLLittelfuseIGBTs Disc IGBT PT-Low Frequency TO-263D2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA42N30C3IXYSDescription: IGBT 300V 223W TO263AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3IXYSIGBTs 48 Amps 600V
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.11 EUR
10+7.02 EUR
500+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3IXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
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IXGA48N60A3IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.6 EUR
13+6.81 EUR
16+5.57 EUR
50+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXGA48N60A3LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXGA48N60A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IXGA48N60A3-TRLIXYSDescription: IGBT PT 600V 120A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/334ns
Switching Energy: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 4093 Stücke:
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2+11.1 EUR
10+7.44 EUR
100+5.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXGA48N60A3-TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IXGA48N60A3-TRLIXYSIGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.36 EUR
10+7.69 EUR
100+6.5 EUR
500+5.51 EUR
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