IXGN82N120C3H1
Produktcode: 179639
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXGN82N120C3H1 | Littelfuse |
 Trans IGBT Module N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXGN82N120C3H1 | IXYS |
Description: IGBT MOD 1200V 130A 595W SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 82A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 595 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.9 nF @ 25 V |
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IXGN82N120C3H1 | IXYS |
IGBT Transistors 130Amps 1200V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXGN82N120C3H1 | IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 130A; SOT227B; tube Case: SOT227B Kind of package: tube Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 130A |
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| IXGN82N120C3H1 |
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH
Trans IGBT Module N-CH
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| IXGN82N120C3H1 |
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 130A 595W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.9 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 130A 595W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 82A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 595 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.9 nF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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| IXGN82N120C3H1 |
|
Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 130Amps 1200V
IGBT Transistors 130Amps 1200V
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| IXGN82N120C3H1 |
Hersteller: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 130A; SOT227B; tube
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 130A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 130A; SOT227B; tube
Case: SOT227B
Kind of package: tube
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 130A
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Stück im Wert von UAH