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IXGR48N60C3D1

IXGR48N60C3D1 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.51 EUR
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Technische Details IXGR48N60C3D1 IXYS

Description: IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns, Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 77 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 56 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A, Power - Max: 125 W.

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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF24C2C638B15EA&compId=IXGR48N60C3D1.pdf?ci_sign=e17ec10a0f325c156db32ed2b069899ee73c8d00 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 26A
Power dissipation: 125W
Case: ISOPLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 Hersteller : Ixys Corporation littelfusediscreteigbtsptixgr48n60c3d1datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Description: IGBT PT 600V 56A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/60ns
Switching Energy: 410µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 125 W
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGR48N60C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 48 Amps 600V
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007912401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR48N60C3D1 - IGBT, 56 A, 2.3 V, 125 W, 600 V, ISOPLUS-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Dauerkollektorstrom: 56A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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IXGR48N60C3D1 Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgr48n60c3d1-datasheet?assetguid=8a5e89f5-9a9b-4cab-bcd7-034666857f48 Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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2+26.34 EUR
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1
Produktcode: 116158
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IXGR48N60C3D1 IXGR48N60C3D1 Hersteller : Littelfuse littelfusediscreteigbtsptixgr48n60c3d1datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
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