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Technische Details IXHX40N150V1HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXHX40N150V1HV - Thyristor, 1.5 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85413000, rohsCompliant: YES, Haltestrom, max.: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Durchlassstrom, durchschnittlich: -, RMS-Durchlassstrom: -, euEccn: NLR, Zündspannung, max.: -, Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.5kV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Zündstrom, max.: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Thyristormontage: Durchsteckmontage, Bauform - Thyristor: TO-247, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote IXHX40N150V1HV nach Preis ab 67.35 EUR bis 95.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXHX40N150V1HV | Hersteller : IXYS |
 Description: SCR 1.5KV TO-247PLUS-HVPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV Voltage - Off State: 1.5 kV |
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IXHX40N150V1HV | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXHX40N150V1HV - Thyristor, 1.5 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: - MSL: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: - RMS-Durchlassstrom: - euEccn: NLR Zündspannung, max.: - Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.5kV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Zündstrom, max.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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IXHX40N150V1HV Produktcode: 197384
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IXHX40N150V1HV | Hersteller : IXYS |
Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 1.5kV; TO247PLUS-HV; THT; tube; 7.6kA Case: TO247PLUS-HV Mounting: THT Kind of package: tube Type of thyristor: thyristor Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT) Max. off-state voltage: 1.5kV Max. forward impulse current: 7.6kA |
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