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IXTA36P15P-TRL

IXTA36P15P-TRL IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
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Technische Details IXTA36P15P-TRL IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA36P15P-TRL IXTA36P15P-TRL LITTELFUSE LFSI-S-A0007924891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.37 EUR
19+12.23 EUR
25+10.65 EUR
50+10.02 EUR
100+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IXTA36P15P TRL IXTA36P15P TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_36P15P_Datasheet.PDF MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.2 EUR
10+9.45 EUR
100+8.73 EUR
500+8.29 EUR
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IXTA36P15P-TRL IXTA36P15P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86 Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
auf Bestellung 4464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.55 EUR
10+12.01 EUR
50+9.63 EUR
100+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTA36P15P-TRL LFSI-S-A0007924891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTA36P15P-TRL
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
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auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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19+12.23 EUR
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100+9.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IXTA36P15P TRL Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_36P15P_Datasheet.PDF
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MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
auf Bestellung 1600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+9.45 EUR
100+8.73 EUR
500+8.29 EUR
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IXTA36P15P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86
IXTA36P15P-TRL
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
auf Bestellung 4464 Stücke:
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2+17.55 EUR
10+12.01 EUR
50+9.63 EUR
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