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IXTA3N100D2-TRL

IXTA3N100D2-TRL Littelfuse Inc.


Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
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Technische Details IXTA3N100D2-TRL Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTA3N100D2-TRL IXTA3N100D2-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF MOSFETs IXTA3N100D2 TRL
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IXTA3N100D2-TRL IXTA3N100D2-TRL IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 970ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37.5nC
Reverse recovery time: 970ns
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IXTA3N100D2 TRL Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IXTA3N100D2-TRL Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: IXYS
MOSFETs IXTA3N100D2 TRL
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IXTA3N100D2-TRL
IXTA3N100D2-TRL
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 970ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37.5nC
Reverse recovery time: 970ns
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Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IXTA3N100D2-TRL media.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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