Produkte > MOT > JAN2N3585

JAN2N3585 MOT



Hersteller: MOT

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details JAN2N3585 MOT

Description: TRANS NPN 300V 2A TO66, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Packaging: Bulk, Qualification: MIL-PRF-19500/384, Power - Max: 2.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Grade: Military, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN.

Weitere Produktangebote JAN2N3585

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
JAN2N3585 Microchip Technology Description: TRANS NPN 300V 2A TO66
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/384
Power - Max: 2.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3585 Microchip / Microsemi 2N3584_2N3585_MIL_PRF_19500_384-3499702.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3585
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 300V 2A TO66
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/384
Power - Max: 2.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Grade: Military
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN2N3585 2N3584_2N3585_MIL_PRF_19500_384-3499702.pdf
Hersteller: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH