JANTXV2N6804
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Technische Details JANTXV2N6804
Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3), Grade: Military, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Qualification: MIL-PRF-19500/562.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N6804 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/562 |
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JANTXV2N6804 | Infineon / IR |
MOSFET |
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| JANTXV2N6804 | Microchip / Microsemi |
MOSFET |
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| JANTXV2N6804 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTXV2N6804 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/562
Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/562
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| JANTXV2N6804 |
|
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET
MOSFET
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| JANTXV2N6804 |
|
Hersteller: Microchip / Microsemi
MOSFET
MOSFET
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| JANTXV2N6804 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
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