JTDB75 MICROSEMI
Hersteller: MICROSEMI
55AW-1/75 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 960 - 1215 MHz JTDB75
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Technische Details JTDB75 MICROSEMI
Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW, Packaging: Bulk, Package / Case: 55AW, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7dB ~ 8.2dB, Power - Max: 220W, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz, Supplier Device Package: 55AW.
Weitere Produktangebote JTDB75
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| JTDB75 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW Packaging: Bulk Package / Case: 55AW Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 7dB ~ 8.2dB Power - Max: 220W Current - Collector (Ic) (Max): 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz Supplier Device Package: 55AW |
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JTDB75 | Microsemi |
RF Bipolar Transistors Avionics/Bipolar Transistor |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JTDB75 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 8.2dB
Power - Max: 220W
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz
Supplier Device Package: 55AW
Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 8.2dB
Power - Max: 220W
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 960MHz ~ 1.215GHz
Supplier Device Package: 55AW
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| JTDB75 |
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Hersteller: Microsemi
RF Bipolar Transistors Avionics/Bipolar Transistor
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