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KBL404G

KBL404G GeneSiC Semiconductor

kbl404g.pdf
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier
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Technische Details KBL404G GeneSiC Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KBL404-G KBL404-G Comchip Technology 1251kbl4005-g20thru319633.20kbl410-g20revc.pdf Diode Rectifier Bridge Single 400V 4A 4-Pin Case KBL Box
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KBL404-G KBL404-G Comchip Technology KBL4005_G_Thru821302._KBL410_G_RevD.PDF Bridge Rectifiers VRRM=400V IF=4.0A
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KBL404-G KBL404-G Comchip Technology KBL4005-G%20Thru821239.%20KBL410-G%20RevD.PDF Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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KBL404-G 1251kbl4005-g20thru319633.20kbl410-g20revc.pdf
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Hersteller: Comchip Technology
Diode Rectifier Bridge Single 400V 4A 4-Pin Case KBL Box
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KBL404-G
Hersteller: Comchip Technology
Bridge Rectifiers VRRM=400V IF=4.0A
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KBL404-G
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Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
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