
KBL410G GeneSiC Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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2+ | 2.32 EUR |
10+ | 1.61 EUR |
25+ | 1.4 EUR |
100+ | 1.13 EUR |
250+ | 0.98 EUR |
500+ | 0.88 EUR |
1000+ | 0.79 EUR |
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Technische Details KBL410G GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBL, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 4 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote KBL410G nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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KBL410-G | Hersteller : Comchip Technology |
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auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KBL410-G | Hersteller : Comchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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KBL410-G | Hersteller : Comchip Technology |
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KBL410-G | Hersteller : Comchip Technology |
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KBL410G | Hersteller : EIC Semiconductor |
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KBL410G | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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KBL410G | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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