KBU10005 GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.9 EUR |
| 10+ | 2.2 EUR |
| 25+ | 1.97 EUR |
| 100+ | 1.66 EUR |
| 250+ | 1.54 EUR |
| 400+ | 1.31 EUR |
| 1200+ | 1.26 EUR |
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Technische Details KBU10005 GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, KBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: KBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V, Current - Average Rectified (Io): 10 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Weitere Produktangebote KBU10005 nach Preis ab 35.75 EUR bis 35.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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KBU10005 | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: Flat single phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 10A; Ifsm: 180A Case: KBU Kind of package: bulk Version: flat Leads: wire Ø 1.3mm Features of semiconductor devices: glass passivated Type of bridge rectifier: single-phase Load current: 10A Max. off-state voltage: 50V Max. forward impulse current: 180A Electrical mounting: THT |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| KBU10005 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor, Inc |
Vrrm=50V, IF(av)=10A, KBU, -55...+150 |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| KBU10005 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 50V 10A 4-Pin Case KBU |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| KBU10005 | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, KBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V Current - Average Rectified (Io): 10 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
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