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KSA916YTA

KSA916YTA ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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Technische Details KSA916YTA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92L, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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KSA916YTA KSA916YTA onsemi ksa916-d.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92-3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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KSA916YTA KSA916YTA Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000604984-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92-3
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KSA916YTA KSA916YTA ON Semiconductor ksa916-d.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
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KSA916YTA KSA916YTA ONSEMI ONSM-S-A0013296991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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KSA916YTA KSA916YTA onsemi ksa916-d.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92-3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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KSA916YTA KSA916YTA onsemi ksa916-d.pdf FAIR-S-A0000604984-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
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10+0.75 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
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1064+0.15 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92-3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.3 EUR
4000+0.27 EUR
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92-3
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 484 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 308 Stücke
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193+0.9 EUR
310+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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KSA916YTA ONSM-S-A0013296991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92L
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92-3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
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2000+0.29 EUR
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