KSB1151YS ON Semiconductor
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Technische Details KSB1151YS ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 5A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.
Weitere Produktangebote KSB1151YS nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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KSB1151YS | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
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KSB1151YS | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 5A TO126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
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KSB1151YS Produktcode: 73229 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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KSB1151YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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KSB1151YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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KSB1151YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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KSB1151YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
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