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KSB1151YSTU

KSB1151YSTU ON Semiconductor

3665714913819855ksb1151.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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Technische Details KSB1151YSTU ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 5A TO126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.

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KSB1151YSTU KSB1151YSTU Hersteller : ON Semiconductor 3665714913819855ksb1151.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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KSB1151YSTU KSB1151YSTU Hersteller : onsemi / Fairchild KSB1151_D-2314865.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
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KSB1151YSTU KSB1151YSTU Hersteller : onsemi ksb1151-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
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