KSB772YS
Produktcode: 191559
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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KSB772YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSB772YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSB772YS | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 42539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSB772YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
auf Bestellung 1358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSB772YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
auf Bestellung 1358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSB772YS | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 7A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 80MHz |
auf Bestellung 1448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSB772YS | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
auf Bestellung 11651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSB772YS | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 4866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| KSB772-Y-S |
auf Bestellung 4450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| KSB772-YS |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| KSB772YS | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSB772YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSB772YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSB772YS | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |