| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1304+ | 0.51 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
1304 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details KSE13007FSMTU FAIRCHILD
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 80W, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote KSE13007FSMTU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KSE13007FSMTU | Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPNPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 80W Current - Collector (Ic) (Max): 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSE13007FSMTU | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
KSE13007FSMTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| KSE13007FSMTU |
|
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 80W
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 80W
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KSE13007FSMTU |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| KSE13007FSMTU |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH