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KSP10BU

KSP10BU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details KSP10BU ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO-92-3, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 650MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V.

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Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
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Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Frequency - Transition: 650MHz
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