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KSP92BU

KSP92BU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details KSP92BU ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 625 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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KSP92BU KSP92BU Fairchild Semiconductor FAIRS18882-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
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KSP92BU KSP92BU ONSEMI ksp92-d.pdf FAIRS18882-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
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KSP92BU KSP92BU onsemi ksp92-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
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Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 40
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KSP92BU
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 625 mW
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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