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KST5179MTF

KST5179MTF ON Semiconductor

kst5179.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details KST5179MTF ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Frequency - Transition: 900MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Power - Max: 350mW, Gain: 15dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
KST5179MTF KST5179MTF ON Semiconductor kst5179.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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KST5179MTF KST5179MTF ONSEMI FAIRS20942-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST5179MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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KST5179MTF KST5179MTF Fairchild Semiconductor FAIRS20942-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
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Frequency - Transition: 900MHz
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Gain: 15dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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KST5179MTF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST5179MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Description: RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Frequency - Transition: 900MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 350mW
Gain: 15dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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