LT1013DID TI
Produktcode: 62171
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: TI
Gehäuse: SOIC-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±2...22 V
Bandbreite BW, MHz: 1 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,2 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 0,4 В/µs
Temperaturbereich: 0...+105°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote LT1013DID nach Preis ab 2.55 EUR bis 5.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
LT1013DID | Texas Instruments |
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC Tube |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
LT1013DID | Texas Instruments |
Precision Amplifiers Dual Precision A 595 -LT1013DIDR A 595-L A 595-LT1013DIDR |
auf Bestellung 19665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
LT1013DID | Texas Instruments |
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOICPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: Standard (General Purpose) Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Current - Supply: 320µA (x2 Channels) Slew Rate: 0.4V/µs Gain Bandwidth Product: 1 MHz Current - Input Bias: 18 nA Voltage - Input Offset: 90 µV Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Number of Circuits: 2 Voltage - Supply Span (Min): 5 V Voltage - Supply Span (Max): 30 V |
auf Bestellung 1409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| LT1013DID |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC Tube
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier ±15V/30V 8-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 75+ | 2.67 EUR |
| 150+ | 2.55 EUR |
| LT1013DID |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Precision Amplifiers Dual Precision A 595 -LT1013DIDR A 595-L A 595-LT1013DIDR
Precision Amplifiers Dual Precision A 595 -LT1013DIDR A 595-L A 595-LT1013DIDR
auf Bestellung 19665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.26 EUR |
| 10+ | 3.92 EUR |
| 25+ | 3.31 EUR |
| 75+ | 3.12 EUR |
| 300+ | 3.01 EUR |
| 525+ | 2.93 EUR |
| 1050+ | 2.76 EUR |
| LT1013DID |
![]() |
Hersteller: Texas Instruments
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 320µA (x2 Channels)
Slew Rate: 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product: 1 MHz
Current - Input Bias: 18 nA
Voltage - Input Offset: 90 µV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 5 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 320µA (x2 Channels)
Slew Rate: 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product: 1 MHz
Current - Input Bias: 18 nA
Voltage - Input Offset: 90 µV
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Voltage - Supply Span (Min): 5 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.37 EUR |
| 10+ | 4 EUR |
| 75+ | 3.36 EUR |
| 150+ | 3.2 EUR |
| 300+ | 3.08 EUR |
| 525+ | 3 EUR |
| 1050+ | 2.9 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| OPA227UA Produktcode: 28831
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±18 V
Bandbreite BW, MHz: 8 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,005 mV
Anstiegsrate, V/µs: 2,3 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1
Anzahl Kanäle: 1
Montage: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±18 V
Bandbreite BW, MHz: 8 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 0,005 mV
Anstiegsrate, V/µs: 2,3 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1
Anzahl Kanäle: 1
Montage: SMD
auf Bestellung: 9 St.
- 9 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.66 EUR |
| 10+ | 2.89 EUR |
| IRF8736TRPBF Produktcode: 25137
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
erwartet: 50 St.
- 50 St. - erwartet
auf Bestellung: 124 St.
- 124 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |






