MBR20045CT GeneSiC Semiconductor
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Technische Details MBR20045CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.
Weitere Produktangebote MBR20045CT nach Preis ab 199.12 EUR bis 242.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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MBR20045CT | GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MBR20045CT |
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 242.58 EUR |
| 2+ | 230.51 EUR |
| 3+ | 218.32 EUR |
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