MBR20045CT GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 143.19 EUR |
| 10+ | 125.05 EUR |
| 25+ | 118.24 EUR |
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Technische Details MBR20045CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC), Supplier Device Package: Twin Tower, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.
Weitere Produktangebote MBR20045CT nach Preis ab 152.68 EUR bis 201.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MBR20045CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MBR20045CT | Hersteller : HITACHI |
MODULE |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MBR20045CT | Hersteller : MOTOROLA |
F4-7 |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MBR20045CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBR20045CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MBR20045CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC) Supplier Device Package: Twin Tower Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |