MBR30045CT GeneSiC Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 165.21 EUR |
| 10+ | 144.62 EUR |
| 25+ | 137.14 EUR |
| 40+ | 136.95 EUR |
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Technische Details MBR30045CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 mA @ 20 V.
Weitere Produktangebote MBR30045CT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MBR30045CT | Hersteller : module |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MBR30045CT | Hersteller : HITACHI |
MODULE |
auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MBR30045CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 45V 300A 3-Pin Twin Tower |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MBR30045CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 mA @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |