
MBR600100CT GeneSiC Semiconductor
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10+ | 185.66 EUR |
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Technische Details MBR600100CT GeneSiC Semiconductor
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower, Max. off-state voltage: 100V, Load current: 300A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: Twin tower, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Features of semiconductor devices: Schottky, Type of semiconductor module: diode, Max. forward voltage: 0.84V, Max. forward impulse current: 4kA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MBR600100CT
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MBR600100CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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MBR600100CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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MBR600100CT | Hersteller : DACO Semiconductor |
![]() Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower Max. off-state voltage: 100V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: Twin tower Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Type of semiconductor module: diode Max. forward voltage: 0.84V Max. forward impulse current: 4kA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MBR600100CT | Hersteller : GeneSiC Semiconductor |
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MBR600100CT | Hersteller : DACO Semiconductor |
![]() Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower Max. off-state voltage: 100V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: Twin tower Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Type of semiconductor module: diode Max. forward voltage: 0.84V Max. forward impulse current: 4kA |
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