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MBR600100CT

MBR600100CT DACO Semiconductor

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9E4014E825440D6&compId=MBR600100CT.pdf?ci_sign=44aedf221c2ced6c5621083d73a8cc9b40ba5354 Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: Twin tower
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 4kA
Type of semiconductor module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
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Technische Details MBR600100CT DACO Semiconductor

Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 100V 300A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 300 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MBR600100CT MBR600100CT Hersteller : DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9E4014E825440D6&compId=MBR600100CT.pdf?ci_sign=44aedf221c2ced6c5621083d73a8cc9b40ba5354 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 100V; If: 300Ax2; Twin tower
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: Twin tower
Electrical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 4kA
Type of semiconductor module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
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MBR600100CT MBR600100CT Hersteller : DACO Semiconductor MBR600100CT.pdf Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 100V 300A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
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MBR600100CT MBR600100CT Hersteller : GeneSiC Semiconductor mbr600100ct.pdf Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 600A100P/70
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MBR600100CT Hersteller : GeneSiC Semiconductor 36162469669457432mbr60045ct_thru_mbr600100ctr.pdf Rectifier Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower
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MBR600100CT MBR600100CT Hersteller : GeneSiC Semiconductor 36162469669457432mbr60045ct_thru_mbr600100ctr.pdf Diode Schottky 100V 600A 3-Pin Twin Tower
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