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MBRT600200R

MBRT600200R DACO Semiconductor

MBRT600200(R).pdf Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB
Case: TO240AB
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 4kA
Leakage current: 10µA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+96.00 EUR
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Technische Details MBRT600200R DACO Semiconductor

Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB, Case: TO240AB, Max. off-state voltage: 200V, Max. forward voltage: 0.92V, Load current: 300A x2, Semiconductor structure: common anode; double, Max. forward impulse current: 4kA, Leakage current: 10µA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: diode, Features of semiconductor devices: Schottky, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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MBRT600200R MBRT600200R Hersteller : DACO Semiconductor MBRT600200(R).pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 300Ax2; TO240AB
Case: TO240AB
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward impulse current: 4kA
Leakage current: 10µA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
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MBRT600200R MBRT600200R Hersteller : GeneSiC Semiconductor mbrt600200r-2451659.pdf Discrete Semiconductor Modules 200V 600A Reverse
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MBRT600200R Hersteller : GeneSiC Semiconductor 117mbrt600150_thru_mbrt600200r.pdf Silicon Power Schottky Diode
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MBRT600200R MBRT600200R Hersteller : GeneSiC Semiconductor mbrt600150.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
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