MDS800 Microchip Technology
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Technische Details MDS800 Microchip Technology
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1, Packaging: Bulk, Package / Case: 55ST-1, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 8.6dB, Power - Max: 1458W, Current - Collector (Ic) (Max): 60A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 1.09GHz, Supplier Device Package: 55ST-1.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MDS800 | Microsemi Corporation |
 Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1Packaging: Bulk Package / Case: 55ST-1 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 8.6dB Power - Max: 1458W Current - Collector (Ic) (Max): 60A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 1.09GHz Supplier Device Package: 55ST-1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MDS800 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 55ST-1
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 8.6dB
Power - Max: 1458W
Current - Collector (Ic) (Max): 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 1.09GHz
Supplier Device Package: 55ST-1
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1
Packaging: Bulk
Package / Case: 55ST-1
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 8.6dB
Power - Max: 1458W
Current - Collector (Ic) (Max): 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
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