MGD623N Sanken Electric Company, Ltd.
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Technische Details MGD623N Sanken Electric Company, Ltd.
Description: IGBT 600V 50A 150W TO3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 75ns/300ns, Test Condition: 300V, 50A, 39Ohm, 15V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 150 W.
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MGD623N Produktcode: 153662
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 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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MGD623N | Hersteller : Allegro Microsystems |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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| MGD623N | Hersteller : Sanken Electric Co. |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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MGD623N | Hersteller : Sanken Electric USA Inc. |
Description: IGBT 600V 50A 150W TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 75ns/300ns Test Condition: 300V, 50A, 39Ohm, 15V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 150 W |
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