MHT1006NT1 NXP
Hersteller: NXP
Description: NXP - MHT1006NT1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details MHT1006NT1 NXP
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W, Current - Test: 90 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PLD-1.5W, Technology: LDMOS, Gain: 21.7dB, Power - Output: 1.26W, Frequency: 2.17GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PLD-1.5W, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MHT1006NT1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MHT1006NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Current - Test: 90 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PLD-1.5W Technology: LDMOS Gain: 21.7dB Power - Output: 1.26W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) |
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MHT1006NT1 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 90 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PLD-1.5W Technology: LDMOS Gain: 21.7dB Power - Output: 1.26W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PLD-1.5W |
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| MHT1006NT1 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V |
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| MHT1006NT1 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistor |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MHT1006NT1 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| MHT1006NT1 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 90 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Technology: LDMOS
Gain: 21.7dB
Power - Output: 1.26W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLD-1.5W
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| MHT1006NT1 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
RF MOSFET Transistors 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V
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| MHT1006NT1 |
Hersteller: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistor
RF Power LDMOS Transistor
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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