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MJB44H11T4G

MJB44H11T4G ON

MJB44H11T4G.pdf
Produktcode: 216567
Hersteller: ON
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
fT: 50 MHz
Uceo,V: 80 V
Ic,A: 10 A
ZCODE: SMD
auf Bestellung 690 Stück:
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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800+0.9 EUR
1600+0.85 EUR
2400+0.79 EUR
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1 EUR
1600+0.92 EUR
2400+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : onsemi MJB44H11-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 889 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+2.01 EUR
100+1.35 EUR
500+1.16 EUR
800+0.95 EUR
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1910 Stücke:
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB44H11T4G Hersteller : ON mjb44h11-d.pdf 09+ SOP
auf Bestellung 1400 Stücke:
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MJB44H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MJB44H11T4G Hersteller : Infineon Technologies mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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MJB44H11T4G Hersteller : ONSEMI mjb44h11-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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PDTC123JT (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Hersteller: Nexperia
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 100
ZCODE: SMD
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erwartet: 3000 Stück
3000 Stück - erwartet
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BC846BLT1G
Produktcode: 112578
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bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
ZCODE: SMD
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BAV23
Produktcode: 105492
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bav23_ser-datasheet.pdf
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOT143B
Vrr, V: 200
Iav, A: 0.225
Trr, ns: zwei Dioden
Bemerkung: два діоди
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 4 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet
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VS-10MQ100NTRPBF
Produktcode: 59111
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vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 100
If(A): 1
VF@IF: 0.78
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
verfügbar: 6340 Stück
15 Stück - stock Köln
6325 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.11 EUR
100+0.088 EUR
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