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MJB44H11T4G

MJB44H11T4G ON

MJB44H11T4G.pdf
Produktcode: 216567
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Hersteller: ON
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Transitfrequenz fT: 50 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 10 А
Montage: SMD
auf Bestellung: 690 St.
  • 690 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJB44H11T4G MJB44H11T4G ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.08 EUR
1600+1.05 EUR
2400+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G ON Semiconductor mjb44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.09 EUR
1600+1.04 EUR
2400+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.23 EUR
1600+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
118+1.83 EUR
250+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+2.51 EUR
100+1.64 EUR
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
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MJB44H11T4G MJB44H11T4G ONSEMI mjb44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
91+2.57 EUR
107+2 EUR
132+1.63 EUR
250+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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MJB44H11T4G ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf
auf Bestellung 11860 Stücke:
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MJB44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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MJB44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1600+1.13 EUR
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MJB44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1910 Stücke:
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MJB44H11T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
auf Bestellung 792 Stücke:
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10+2.51 EUR
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MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 6328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4 EUR
10+2.56 EUR
100+1.74 EUR
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MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
MJB44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+4.22 EUR
91+2.57 EUR
107+2 EUR
132+1.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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MJB44H11T4G mjb44h11-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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PMEG4005AEA,115
Produktcode: 149444
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PMEG4005AEA.pdf
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Produktcode: 134236
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pdtc123j_ser.pdf
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Hersteller: Nexperia
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 230 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Stromverstärkung h21: 100
Montage: SMD
auf Bestellung: 700 St.
  • 700 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.055 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BLT1G
Produktcode: 112578
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bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 65 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 А
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAV23,215
Produktcode: 105492
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bav23_ser-datasheet.pdf
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOT143B
Sperrspannung Vrr, V: 200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 0,225 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: Zwei Dioden
Bemerkung: zwei Dioden
Montage: SMD
auf Bestellung: 613 St.
  • 613 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.27 EUR
10+0.21 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.09 EUR
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VS-10MQ100NTRPBF
Produktcode: 59111
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vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,78 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 30 А
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 6220 St.
  • 6220 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH