MJD44H11AJ
Produktcode: 189016
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MJD44H11AJ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11AJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11AJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11AJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD44H11AJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11AJ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD44H11AJ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD44H11AJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |