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MJE182STU

MJE182STU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin TO-126 Tube
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Technische Details MJE182STU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 3A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.

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Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
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Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
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Frequency - Transition: 50MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
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