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MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G onsemi

mmbt5550lt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
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Technische Details MMBT5551LT3G onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 225 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153 		Hersteller : Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 Stück
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10+ 0.032 EUR
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PMBT5551 (Bipolartransistor NPN) PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20409 		Hersteller : NXP/Philips PMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,3
ZCODE: SMD
verfügbar: 2224 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.072 EUR
10+ 0.048 EUR
100+ 0.03 EUR
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829 		Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2093+0.075 EUR
2115+ 0.071 EUR
3704+ 0.039 EUR
4017+ 0.035 EUR
6494+ 0.021 EUR
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2071+ 0.067 EUR
2093+ 0.064 EUR
2115+ 0.061 EUR
3704+ 0.033 EUR
4017+ 0.031 EUR
6494+ 0.019 EUR
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : onsemi MMBT5550LT1_D-2315984.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
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135+0.39 EUR
193+ 0.27 EUR
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1000+ 0.073 EUR
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10000+ 0.049 EUR
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Mindestbestellmenge: 135
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
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63+0.42 EUR
91+ 0.29 EUR
167+ 0.16 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.085 EUR
2000+ 0.071 EUR
5000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MMBT5551L
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G
Produktcode: 107209 		mmbt5550lt1-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23
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MMBT5551L Hersteller : onsemi Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
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