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MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G

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Produktcode: 107209
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Möglichen Substitutionen MMBT5551LT3G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor) MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4153
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Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
16+0.079 EUR
24+0.051 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
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Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
erwartet: 6000 St.
  • 6000 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 105 St.
  • 105 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
22+0.055 EUR
39+0.031 EUR
100+0.025 EUR
1000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 22 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT5551 (NPN-Bipolartransistor) PMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 20409
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NXP/Philips PMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,3 A
Montage: SMD
verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
auf Bestellung: 471 St.
  • 471 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+0.12 EUR
15+0.082 EUR
100+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 4153
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MMBT5551.pdf
MMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
verfügbar: 150 St.
  • 150 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
24+0.051 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551
Produktcode: 200829
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Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
MMBT5551
Hersteller: Jingdao
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 250
Montage: SMD
erwartet: 6000 St.
  • 6000 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 105 St.
  • 105 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.055 EUR
39+0.031 EUR
100+0.025 EUR
1000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 22 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 20409
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PMBT5551.pdf
PMBT5551 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP/Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,3 A
Montage: SMD
verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
auf Bestellung: 471 St.
  • 471 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.12 EUR
15+0.082 EUR
100+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.048 EUR
30000+0.045 EUR
50000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1656+0.11 EUR
2416+0.071 EUR
3145+0.054 EUR
3691+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
15000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
730+0.24 EUR
1086+0.15 EUR
1640+0.096 EUR
1656+0.092 EUR
2416+0.06 EUR
3145+0.044 EUR
3691+0.037 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 6106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.063 EUR
5000+0.055 EUR
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 19566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
190+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.062 EUR
5000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551L
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.048 EUR
30000+0.045 EUR
50000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1656+0.11 EUR
2416+0.071 EUR
3145+0.054 EUR
3691+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
15000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1656 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
730+0.24 EUR
1086+0.15 EUR
1640+0.096 EUR
1656+0.092 EUR
2416+0.06 EUR
3145+0.044 EUR
3691+0.037 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 730 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 6106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.29 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.063 EUR
5000+0.055 EUR
10000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT5551LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 19566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
190+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.062 EUR
5000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551L
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH