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MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G

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Produktcode: 107209
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153
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Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 St.
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
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PMBT5551 (Bipolartransistor NPN) PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20409
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NXP/Philips PMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,3
ZCODE: SMD
verfügbar: 577 St.
120 St. - stock Köln
457 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.072 EUR
10+0.048 EUR
100+0.03 EUR
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
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Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2339 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 St.
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
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PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20409
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PMBT5551.pdf
PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP/Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,3
ZCODE: SMD
verfügbar: 577 St.
120 St. - stock Köln
457 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.072 EUR
10+0.048 EUR
100+0.03 EUR
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MMBT5551
Produktcode: 200829
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Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf
MMBT5551
Hersteller: Jingdao
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10102+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 10102
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
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10102+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 10102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
30000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2899+0.05 EUR
4049+0.035 EUR
5320+0.026 EUR
6173+0.022 EUR
6290+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2899
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1130+0.13 EUR
1786+0.078 EUR
1806+0.074 EUR
2874+0.045 EUR
2899+0.043 EUR
4049+0.029 EUR
5320+0.021 EUR
6173+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 1130
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 27884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.24 EUR
19+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.053 EUR
2500+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 17455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
191+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.059 EUR
2000+0.052 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551L
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10102+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 10102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10102+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 10102
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MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.044 EUR
30000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2899+0.05 EUR
4049+0.035 EUR
5320+0.026 EUR
6173+0.022 EUR
6290+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2899
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1130+0.13 EUR
1786+0.078 EUR
1806+0.074 EUR
2874+0.045 EUR
2899+0.043 EUR
4049+0.029 EUR
5320+0.021 EUR
6173+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 1130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 27884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
19+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.053 EUR
2500+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT3G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 17455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
191+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.059 EUR
2000+0.052 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551L
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH