MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G


mmbt5550lt1-d.pdf
Produktcode: 107209
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Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153
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Hersteller : Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 St.
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
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PMBT5551 (Bipolartransistor NPN) PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20409
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Hersteller : NXP/Philips PMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,3
ZCODE: SMD
verfügbar: 579 St.
120 St. - stock Köln
459 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.072 EUR
10+0.048 EUR
100+0.03 EUR
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
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Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2474 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10102+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 10102
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10102+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 10102
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2986+0.048 EUR
4033+0.035 EUR
5320+0.025 EUR
6173+0.021 EUR
6290+0.02 EUR
15000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 2986
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1146+0.13 EUR
1799+0.077 EUR
1815+0.074 EUR
2874+0.045 EUR
2986+0.041 EUR
4033+0.029 EUR
5320+0.021 EUR
6173+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 1146
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 34404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
19+0.15 EUR
100+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.053 EUR
2500+0.051 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 17795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
191+0.092 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.059 EUR
2000+0.052 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT5551L
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551LT3G Hersteller : On Semiconductor MMBT5550LT1-D.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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MMBT5551L Hersteller : onsemi Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
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