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MMBT5551LT3G

MMBT5551LT3G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
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Technische Details MMBT5551LT3G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 225 mW.

Möglichen Substitutionen MMBT5551LT3G ON Semiconductor

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5551 (Bipolartransistor NPN) MMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4153
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Hersteller : Fairchild MMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: 8541210090
verfügbar: 150 Stück
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
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PMBT5551 (Bipolartransistor NPN) PMBT5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 20409
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Hersteller : NXP/Philips PMBT5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,3
ZCODE: SMD
verfügbar: 1441 Stück
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1321 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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MMBT5551 MMBT5551
Produktcode: 200829
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Hersteller : Jingdao Jingdao-Microelectronics-MMBT5551_C2762220.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
ZCODE: SMD
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
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Anzahl Preis
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10000+0.04 EUR
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2625+0.06 EUR
2632+0.05 EUR
4167+0.03 EUR
4465+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2625
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1852+0.11 EUR
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
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739+0.20 EUR
1311+0.11 EUR
1323+0.10 EUR
2539+0.05 EUR
2625+0.05 EUR
2632+0.05 EUR
4167+0.03 EUR
4465+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 739
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 39253 Stücke:
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12+0.25 EUR
22+0.13 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.05 EUR
2500+0.04 EUR
10000+0.03 EUR
20000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 19970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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72+0.25 EUR
114+0.15 EUR
187+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
2000+0.05 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MMBT5551L
auf Bestellung 10667 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G
Produktcode: 107209
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mmbt5550lt1-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMBT5551LT3G MMBT5551LT3G Hersteller : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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MMBT5551L Hersteller : onsemi Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
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