MMBTA42LT1 ON Semiconductor
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 30 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Technische Details MMBTA42LT1 ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3, Power - Max: 225 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote MMBTA42LT1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MMBTA42LT1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk |
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MMBTA42LT1 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 200V NPN |
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MMBTA 42 LT1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A |
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| MMBTA42LT1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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| MMBTA42LT1 |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 200V NPN
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| MMBTA 42 LT1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A
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