MMRF1007HSR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 20dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 150 mA
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Technische Details MMRF1007HSR5 NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4S, Frequency: 1.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 20dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.
Weitere Produktangebote MMRF1007HSR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1007HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V |
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