MMRF1009HR5 NXP Semiconductors
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Technische Details MMRF1009HR5 NXP Semiconductors
Description: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-957A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.03GHz, Power - Output: 500W, Gain: 19.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Part Status: Last Time Buy, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 200 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MMRF1009HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
 Description: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780SPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA |
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MMRF1009HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA |
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| MMRF1009HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V |
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