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Technische Details MMRF1011HR5 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Current - Test: 150 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 100 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 18dB, Power - Output: 330W, Frequency: 1.4GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MMRF1011HR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MMRF1011HR5 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 330W Frequency: 1.4GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1011HR5 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1011HR5 |
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 18dB
Power - Output: 330W
Frequency: 1.4GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 150 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 18dB
Power - Output: 330W
Frequency: 1.4GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
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| MMRF1011HR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V
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