MMRF1308HR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MMRF1308HR5 NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 133 V, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Technology: LDMOS, Gain: 25dB, Power - Output: 600W, Configuration: Dual, Frequency: 230MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-979A, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MMRF1308HR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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MMRF1308HR5 | NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1308HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1308HR5 |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-979A
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| MMRF1308HR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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