MMRF1308HSR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Technology: LDMOS
Gain: 25dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230-4S
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MMRF1308HSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 50 V, Voltage - Rated: 133 V, Supplier Device Package: NI-1230-4S, Technology: LDMOS, Gain: 25dB, Power - Output: 600W, Configuration: Dual, Frequency: 230MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-1230-4S, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote MMRF1308HSR5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1308HSR5 | NXP / Freescale |
 RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMRF1308HSR5 |
|
Hersteller: NXP / Freescale
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
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