MMRF1310HR5 NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 50 V
Voltage - Rated: 133 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: LDMOS
Gain: 26.5dB
Power - Output: 300W
Configuration: Dual
Frequency: 230MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details MMRF1310HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780-4, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 300W, Gain: 26.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780-4, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote MMRF1310HR5 nach Preis ab 172.9 EUR bis 224.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| MMRF1310HR5 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1310HR5 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 224.79 EUR |
| 10+ | 192.91 EUR |
| 25+ | 184.57 EUR |
| 50+ | 177.37 EUR |
| 100+ | 173.57 EUR |
| 250+ | 173.2 EUR |
| 500+ | 172.9 EUR |