MMRF1316NR1 NXP Semiconductors
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Technische Details MMRF1316NR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-4, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 230MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 300W, Gain: 27dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270 WB-4, Part Status: Active, Voltage - Rated: 133 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote MMRF1316NR1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MMRF1316NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF FET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R |
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MMRF1316NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R |
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MMRF1316NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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MMRF1316NR1 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
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| MMRF1316NR1 | Hersteller : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V |
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