MMUN2232LT1G ON
Produktcode: 34988
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 30
Bemerkung: Digitaltransistor 4.7K + 4.7K
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.063 EUR |
| 100+ | 0.046 EUR |
| 1000+ | 0.036 EUR |
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Weitere Produktangebote MMUN2232LT1G nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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MMUN2232LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1050000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1050000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base-emitter resistor: 4.7kΩ Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ |
auf Bestellung 19637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
auf Bestellung 47206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 117679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMUN2232LT1G | ON-Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMUN2232LT1G | ON-Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMUN2232LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1050000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30000+ | 0.029 EUR |
| 150000+ | 0.025 EUR |
| 300000+ | 0.023 EUR |
| MMUN2232LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1050000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30000+ | 0.029 EUR |
| 150000+ | 0.025 EUR |
| 300000+ | 0.023 EUR |
| MMUN2232LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.046 EUR |
| 6000+ | 0.042 EUR |
| MMUN2232LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2763+ | 0.064 EUR |
| 3155+ | 0.055 EUR |
| 4000+ | 0.043 EUR |
| 7576+ | 0.021 EUR |
| MMUN2232LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 19637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.17 EUR |
| 736+ | 0.12 EUR |
| 1069+ | 0.08 EUR |
| 1254+ | 0.068 EUR |
| 1544+ | 0.055 EUR |
| 1806+ | 0.048 EUR |
| 2093+ | 0.04 EUR |
| 3000+ | 0.032 EUR |
| 6000+ | 0.029 EUR |
| MMUN2232LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1306+ | 0.17 EUR |
| 2825+ | 0.076 EUR |
| 3268+ | 0.065 EUR |
| 3847+ | 0.056 EUR |
| 4348+ | 0.049 EUR |
| 4546+ | 0.048 EUR |
| 5000+ | 0.043 EUR |
| MMUN2232LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 857+ | 0.2 EUR |
| 1235+ | 0.14 EUR |
| 1356+ | 0.12 EUR |
| 2093+ | 0.075 EUR |
| 2193+ | 0.069 EUR |
| 2763+ | 0.052 EUR |
| 3155+ | 0.044 EUR |
| 4000+ | 0.035 EUR |
| 7576+ | 0.018 EUR |
| MMUN2232LT1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 47206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 0.25 EUR |
| 22+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.096 EUR |
| 500+ | 0.071 EUR |
| 1000+ | 0.061 EUR |
| 3000+ | 0.046 EUR |
| MMUN2232LT1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 117679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 0.25 EUR |
| 136+ | 0.15 EUR |
| 220+ | 0.095 EUR |
| 500+ | 0.069 EUR |
| 1000+ | 0.061 EUR |
| MMUN2232LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 807+ | 0.31 EUR |
| 1306+ | 0.18 EUR |
| 2133+ | 0.1 EUR |
| 2825+ | 0.076 EUR |
| 3268+ | 0.065 EUR |
| MMUN2232LT1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 600+ | 0.06 EUR |
| MMUN2232LT1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.33 EUR |
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| 1N4007 Produktcode: 176822
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev., V: 1000 В
Iausr., A: 1 А
Beschreibung: Gleichrichter
Montage: THT
Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung: 52571 St.
- 52571 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.039 EUR |
| 10+ | 0.031 EUR |
| 100+ | 0.024 EUR |
| 1000+ | 0.018 EUR |
| 910 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-910K-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 1782
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 910 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 910 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 5000 St.
- 5000 St. - stock Köln
auf Bestellung: 23590 St.
- 23590 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |
| 22 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-22R-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 1753
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 22 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 22 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 4775 St.
- 4775 St. - stock Köln
auf Bestellung: 14000 St.
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |
| 4,12 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K12-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 1727
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 4,12 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 4,12 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.006 EUR |
| 22 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-22K-Hitano) (Widerstand SMD) Produktcode: 1369
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 22 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 22 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.0045 EUR |
| 1000+ | 0.0036 EUR |
| 10000+ | 0.0027 EUR |








