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MMUN2232LT1G

MMUN2232LT1G ON

MMUN2232LT1G.pdf
Produktcode: 34988
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2730 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9175+0.02 EUR
9346+0.02 EUR
9434+0.02 EUR
15000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9175
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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9175+0.02 EUR
9346+0.02 EUR
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30000+0.03 EUR
60000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3268+0.05 EUR
3774+0.04 EUR
4274+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
30000+0.02 EUR
75000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3268
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
705+0.10 EUR
985+0.07 EUR
1119+0.06 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
705+0.10 EUR
985+0.07 EUR
1119+0.06 EUR
1194+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
865+0.18 EUR
1401+0.11 EUR
1415+0.10 EUR
2310+0.06 EUR
2337+0.06 EUR
3268+0.04 EUR
3774+0.03 EUR
4274+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 865
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 62345 Stücke:
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15+0.20 EUR
20+0.14 EUR
100+0.09 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 63536 Stücke:
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Anzahl Preis
84+0.21 EUR
130+0.14 EUR
210+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28336
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MMUN2211LT1-D.PDF
MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1676 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35921
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MMUN2214LT1.pdf
MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 140
Bem.: 10K+47K
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PDTC114ET (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2553
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PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
Bem.: 10к+10к
ZCODE: SMD
verfügbar: 1471 Stück
250 Stück - stock Köln
1221 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.10 EUR
10+0.06 EUR
100+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2035
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BC846, 847.pdf
BC846B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1363 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.01 EUR
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1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Produktcode: 1933
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ECR_081225.pdf
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 8х14mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 5585 Stück
60 Stück - stock Köln
5525 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
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