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MMUN2232LT1G

MMUN2232LT1G ON

MMUN2232LT1G.pdf
Produktcode: 34988
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2680 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.028 EUR
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
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Anzahl Preis
9091+0.016 EUR
9260+0.015 EUR
9346+0.014 EUR
21000+0.013 EUR
30000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 9091
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9175+0.016 EUR
9260+0.015 EUR
9346+0.014 EUR
21000+0.013 EUR
30000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 9175
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.039 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.027 EUR
75000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3226+0.045 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.028 EUR
27000+0.026 EUR
51000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3226
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3237+0.045 EUR
3746+0.037 EUR
4238+0.032 EUR
6000+0.026 EUR
15000+0.022 EUR
30000+0.017 EUR
75000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 3237
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2578+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 2578
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3976 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
758+0.094 EUR
1087+0.066 EUR
1276+0.056 EUR
1806+0.04 EUR
3976+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 3976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
758+0.094 EUR
1087+0.066 EUR
1276+0.056 EUR
1806+0.04 EUR
3976+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90136 Stücke:
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Anzahl Preis
831+0.17 EUR
1382+0.1 EUR
1397+0.096 EUR
2299+0.056 EUR
2321+0.053 EUR
3237+0.037 EUR
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 104454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
145+0.12 EUR
236+0.075 EUR
500+0.054 EUR
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi DTC143E_D-1773665.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 40169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+0.2 EUR
24+0.12 EUR
100+0.074 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32737 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1260 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.034 EUR
100+0.022 EUR
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MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 35921
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MMUN2214LT1.pdf
MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 140
Bem.: 10K+47K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 180 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.032 EUR
10+0.03 EUR
100+0.022 EUR
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PDTC114ET (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2553
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PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
Bem.: 10к+10к
ZCODE: SMD
verfügbar: 250 Stück
erwartet: 3000 Stück
3000 Stück - erwartet 14.09.2025
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.06 EUR
100+0.031 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2035
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BC846, 847.pdf
BC846B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1964 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.016 EUR
1000+0.012 EUR
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1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Produktcode: 1933
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ECR_081225.pdf
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 8х14mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 4929 Stück
60 Stück - stock Köln
4869 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.06 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.041 EUR
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