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MMUN2232LT1G

MMUN2232LT1G ON

MMUN2232LT1G.pdf
Produktcode: 34988
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1365 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.028 EUR
100+0.023 EUR
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
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6250+0.023 EUR
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5051+0.028 EUR
5883+0.023 EUR
6411+0.021 EUR
7093+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 5051
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.027 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1350+0.11 EUR
2203+0.063 EUR
2223+0.06 EUR
3611+0.035 EUR
3691+0.033 EUR
5051+0.023 EUR
5883+0.019 EUR
6411+0.018 EUR
7093+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 1350
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3050 Stücke:
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Anzahl Preis
2778+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2778
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 103039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
143+0.12 EUR
231+0.076 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi DTC143E-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 29980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+0.2 EUR
24+0.12 EUR
100+0.074 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI dtc143e-d.pdf MMUN2232LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 5804 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
514+0.14 EUR
5000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 514
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2232LT1G Hersteller : ON-Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: ON
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Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet 06.03.2026
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.034 EUR
100+0.022 EUR
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Hersteller: ON
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Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 140
Bem.: 10K+47K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 120 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.032 EUR
10+0.03 EUR
100+0.022 EUR
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PDTC114ET.pdf
PDTC114ET (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
Bem.: 10к+10к
ZCODE: SMD
verfügbar: 250 Stück
erwartet: 6000 Stück
6000 Stück - erwartet 06.03.2026
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.06 EUR
100+0.031 EUR
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BC846B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2035
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BC846, 847.pdf
BC846B (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 344 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.016 EUR
1000+0.012 EUR
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1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Produktcode: 1933
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ECR_081225.pdf
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 8х14mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 3945 Stück
60 Stück - stock Köln
3885 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.041 EUR
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