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MMUN2232LT1G

MMUN2232LT1G ON

MMUN2232LT1G.pdf
Produktcode: 34988
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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705+ 0.1 EUR
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1119+ 0.064 EUR
1539+ 0.046 EUR
1961+ 0.036 EUR
3402+ 0.021 EUR
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi dtc143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : onsemi DTC143E_D-2310912.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ONSEMI 2237085.pdf Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
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MMUN2232LT1G MMUN2232LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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MMUN2232LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc143e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
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Mindestbestellmenge: 100

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MMUN2111
Produktcode: 4078		 MMUN2111.pdf
MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 60
Bem.: 10K+10К
auf Bestellung 2000 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.032 EUR
100+ 0.03 EUR
1000+ 0.028 EUR
MC34063ACN
Produktcode: 7510		 description MC34063A.pdf
MC34063ACN
Hersteller: ON
IC > IC AC/DC-Schaltregler
Gehäuse: DIP-8
U eing., V: 40V
I ausg., A: 1,5A
F, kHz: 100
U comp, V: 1,25V
Bemerkung: STEP DOWN/UP
Робоча температура, °С: 0…+70°C
verfügbar: 371 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.39 EUR
MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28336		 MMUN2211LT1-D.PDF
MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2176 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.034 EUR
100+ 0.022 EUR
TIP122
Produktcode: 185652		 TIP120-22.pdf en.CD00000911.pdf
TIP122
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 5 A
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
BC860B
Produktcode: 2362		 BC859,BC860.pdf
BC860B
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 5793 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.034 EUR
100+ 0.022 EUR
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