
MMUN2232LT1G ON

Produktcode: 34988
Hersteller: ONGehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2710 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.03 EUR |
10+ | 0.028 EUR |
100+ | 0.023 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3996 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
auf Bestellung 3996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 90146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 40480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 63165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 33022 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 33022 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2232LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 28336
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Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1428 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.06 EUR |
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Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 140
Bem.: 10K+47K
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 140
Bem.: 10K+47K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1000 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.032 EUR |
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
Bem.: 10к+10к
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
Bem.: 10к+10к
ZCODE: SMD
verfügbar: 1256 Stück
250 Stück - stock Köln
1006 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1006 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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BC846B (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 2035
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Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD
auf Bestellung 756 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.016 EUR |
1000+ | 0.012 EUR |
1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano) Produktcode: 1933
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 8х14mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 8х14mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 5299 Stück
60 Stück - stock Köln
5239 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
5239 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.08 EUR |
10+ | 0.06 EUR |
100+ | 0.046 EUR |
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