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MMUN2232LT1G ON

Name: MMUN2232LT1G
Brand: ON
SKU: 34988
Price: 0.03 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 34988

Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD

auf Bestellung 2720 Stück:

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 72000 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 6135

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MMUN2232LT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 63000 Stücke:

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3000+	0.04 EUR
6000+	0.04 EUR
9000+	0.04 EUR
15000+	0.03 EUR
21000+	0.03 EUR
30000+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 102000 Stücke:

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3598+	0.04 EUR
6000+	0.04 EUR
9000+	0.03 EUR
27000+	0.03 EUR
51000+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 3598

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3050 Stücke:

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2526+	0.11 EUR

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A0FB91704CCBC749&compId=MMUN2232.PDF?ci_sign=96d401b1993600d12a3d820d4d294529fbc52289

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3996 Stücke:

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Anzahl	Preis
610+	0.12 EUR
1000+	0.07 EUR
1578+	0.05 EUR
2128+	0.03 EUR
3996+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 610

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ONSEMI

auf Bestellung 3996 Stücke:

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610+	0.12 EUR
1000+	0.07 EUR
1578+	0.05 EUR
2128+	0.03 EUR
3996+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 610

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 90146 Stücke:

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767+	0.19 EUR
1306+	0.11 EUR
1318+	0.10 EUR
2170+	0.06 EUR
2193+	0.06 EUR
3068+	0.04 EUR
3534+	0.03 EUR
4017+	0.03 EUR
6000+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 767

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MMUN2232LT1G

Hersteller : onsemi

Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V

auf Bestellung 40480 Stücke:

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13+	0.23 EUR
21+	0.14 EUR
100+	0.08 EUR
500+	0.06 EUR
1000+	0.05 EUR
3000+	0.04 EUR
6000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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MMUN2232LT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 63165 Stücke:

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77+	0.23 EUR
129+	0.14 EUR
209+	0.08 EUR
500+	0.06 EUR
1000+	0.05 EUR

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 33022 Stücke:

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMUN2232LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 33022 Stücke:

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MMUN2232LT1G

Hersteller : ON-Semicoductor

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2232LT1G TMMUN2232
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 100

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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)
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Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD

auf Bestellung 1428 Stück:

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10+	0.03 EUR
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MMUN2214LT1 (Bipolartransistor NPN)
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Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 140
Bem.: 10K+47K
ZCODE: SMD

auf Bestellung 1000 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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1+	0.03 EUR
10+	0.03 EUR
100+	0.02 EUR

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PDTC114ET (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2553

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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
Bem.: 10к+10к
ZCODE: SMD

verfügbar: 1256 Stück

250 Stück - stock Köln
1006 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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10+	0.06 EUR
100+	0.03 EUR

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BC846B (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2035

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Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65
Ucbo,V: 80
Ic,A: 0,1
h21: 450
ZCODE: SMD

auf Bestellung 1266 Stück:

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10+	0.03 EUR
100+	0.02 EUR
1000+	0.01 EUR

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1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)
Produktcode: 1933

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1000uF 10V ECR 8x14mm (ECR102M10B-Hitano)

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 8x14mm
Lebensdauer: 8х14mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 5304 Stück

60 Stück - stock Köln
5244 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
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