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MMZ25332BT1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMZ25332BT1 MMZ25332BT1 NXP USA Inc. MMZ25332B.pdf Description: IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN
P1dB: 33dBm
Noise Figure: 5.8dB
Current - Supply: 390mA
Gain: 26.5dB
Voltage - Supply: 3V ~ 5V
RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA
Frequency: 1.8GHz ~ 2.8GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Test Frequency: 2.5GHz
auf Bestellung 916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.27 EUR
10+12.36 EUR
25+11.71 EUR
100+10.81 EUR
250+10.26 EUR
500+9.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MMZ25332BT1 MMZ25332BT1 NXP Semiconductors MMZ25332B4-1517182.pdf RF Amplifier 31DBM GAAS AMP
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.22 EUR
10+14.45 EUR
25+13.17 EUR
100+11.63 EUR
250+10.83 EUR
500+10.26 EUR
1000+9.67 EUR
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MMZ25332BT1
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN
P1dB: 33dBm
Noise Figure: 5.8dB
Current - Supply: 390mA
Gain: 26.5dB
Voltage - Supply: 3V ~ 5V
RF Type: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA
Frequency: 1.8GHz ~ 2.8GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
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MMZ25332BT1
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RF Amplifier 31DBM GAAS AMP
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