MPLAD30KP260CA Microchip Technology
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Technische Details MPLAD30KP260CA Microchip Technology
Category: Bidirectional SMD transil diodes, Description: Diode: TVS; 30kW; 289÷320V; 71A; bidirectional; PLAD, Breakdown voltage: 289...320V, Leakage current: 10µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 30kW, Mounting: SMD, Case: PLAD, Max. off-state voltage: 260V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 71A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MPLAD30KP260CA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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MPLAD30KP260CA | Hersteller : Microsemi Corporation |
 Description: TVS DIODE 260VWM 419VC PLAD |
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| MPLAD30KP260CA | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 289÷320V; 71A; bidirectional; PLAD Breakdown voltage: 289...320V Leakage current: 10µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Mounting: SMD Case: PLAD Max. off-state voltage: 260V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 71A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MPLAD30KP260CA | Hersteller : MICROSEMI |
SEE_DATASHEETTRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR MPLAD30 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPLAD30KP260CA | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional SMD transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 289÷320V; 71A; bidirectional; PLAD Breakdown voltage: 289...320V Leakage current: 10µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Mounting: SMD Case: PLAD Max. off-state voltage: 260V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 71A |
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