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MRF101BN

MRF101BN NXP Semiconductors

MRF101AN-1510799.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
auf Bestellung 157 Stücke:
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Technische Details MRF101BN NXP Semiconductors

Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 133V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Betriebsfrequenz, max.: 250MHz, Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz, Verlustleistung: 182W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MRF101BN MRF101BN NXP USA Inc. MRF101AN.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
auf Bestellung 190 Stücke:
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MRF101BN MRF101BN NXP 2718519.pdf Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 182W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MRF101BN MRF101AN.pdf
MRF101BN
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Current Rating (Amps): 10µA
Frequency: 1.8MHz ~ 250MHz
Power - Output: 115W
Gain: 21.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Voltage - Rated: 133 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
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MRF101BN 2718519.pdf
MRF101BN
Hersteller: NXP
Description: NXP - MRF101BN - HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 133V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebsfrequenz, max.: 250MHz
Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz
Verlustleistung: 182W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MRF101AN; MRF101BN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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