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MRF24G300HSR5

MRF24G300HSR5 NXP Semiconductors

MRF24G300HS-1661818.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors RF Power GaN Transistor, 300 W CW over 2400-2500 MHz, 50 V
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Technische Details MRF24G300HSR5 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Power - Output: 300W, Gain: 15.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V.

Weitere Produktangebote MRF24G300HSR5 nach Preis ab 276.14 EUR bis 325.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MRF24G300HSR5 NXP USA Inc. MRF24G300HS.pdf Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Power - Output: 300W
Gain: 15.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
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MRF24G300HSR5 MRF24G300HS.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Power - Output: 300W
Gain: 15.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
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