MRF24G300HSR5 NXP Semiconductors
Hersteller: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors RF Power GaN Transistor, 300 W CW over 2400-2500 MHz, 50 V
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| 1+ | 220.42 EUR |
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| 50+ | 201.91 EUR |
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Technische Details MRF24G300HSR5 NXP Semiconductors
Description: RF FET GAN 330W 50V 2500MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Power - Output: 300W, Gain: 15.3dB, Technology: MOSFET, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V.
Weitere Produktangebote MRF24G300HSR5 nach Preis ab 206.18 EUR bis 920 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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| MRF24G300HSR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF FET GAN 330W 50V 2500MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz Configuration: 2 N-Channel (Dual) Power - Output: 300W Gain: 15.3dB Technology: MOSFET Supplier Device Package: NI-780S-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V |
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| MRF24G300HSR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF FET GAN 330W 50V 2500MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz Configuration: 2 N-Channel (Dual) Power - Output: 300W Gain: 15.3dB Technology: MOSFET Supplier Device Package: NI-780S-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MRF24G300HSR5 | Hersteller : NXP |
Транз. пол. ВЧ БМ 2,4 to 2,5 GHz 300 W RF power GaN Transistor |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MRF24G300HSR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET 125V T/R |
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